高放熱性で大電流に対応するL-TOGL™パッケージ採用の80 V/100 V耐圧車載用NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充
製品情報 2023-06
当社は、車載機器で需要が高まる48 Ｖバッテリーに対応するため、L-TOGL™パッケージを採用した車載用NチャネルパワーMOSFET 2品種を製品化しました。80 V耐圧の「XPQR8308QB」と100 V耐圧の「XPQ1R00AQB」です。
ライトEVやISG[注1]のインバーターやバッテリーマネジメントシステム、ジャンクションBOXなどのロードスイッチおよび半導体リレーでは、高信頼性、高ドレイン電流定格、高放熱設計が製品に求められます。
新製品は、当社新プロセスU-MOSＸ‐Ｈの採用により、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現しました。また、L-TOGL™パッケージは、MOSFETチップからアウターリードまでを一体化したCuクリップ構造を採用し、厚みのあるCuフレームを使用しています。このため、当社既存パッケージのTO-220SM(W)[注3]と比べて、パッケージ抵抗は約70 %低減し、チャネル・ケース間過渡熱インピーダンスは50 %低減しました。さらに、端子形状は実装応力が緩和できるガルウィング形状を採用しているため、基板実装はんだの接合信頼性が向上します。これらの特長から、機器の低損失化、高放熱性での大電流通電に対応します。
大電流を必要とするアプリケーションでは、MOSFETを並列接続で使用することがあります。そのような並列接続使用では、並列にするMOSFETの特性差が少ないことが理想です。この特性差を低減するためにゲートしきい値電圧のグルーピング納品に対応しています。[注4]
L-TOGL™パッケージ製品は、新製品に加え40 V耐圧の当社既存製品「XPQ1R004PB、XPQR3004PB」の4品種のラインアップとなりました。大電流化、高電力密度設計、高ロバスト性などの要求が高まっている車載アプリケーションに適した製品を今後も提供し続けます。
[注1] ISG : Integrated Starter Generator (スターターとジェネレーターを統合したモーター)
[注2] 当社調べ (2023年6⽉時点) によるものです。
[注3] 当社既存製品 XK1R9F10QB (100 V耐圧製品)
[注4] ゲートしきい値電圧を0.4 V幅としたリールごとのグルーピング納品が可能です。ただし、特定グループの指定は受け付けていません。詳しくは、当社営業担当へお問い合わせください。
応用機器
- 車載機器 (インバーター、半導体リレー、ロードスイッチ、モータードライブなど)
新製品の主な特長
- 低オン抵抗 :
XPQR8308QB RDS(ON)=0.83 mΩ (max) (VGS=10 V)
XPQ1R00AQB RDS(ON)=1.03 mΩ (max) (VGS=10 V) - 放熱性の高いL-TOGL™パッケージ
- AEC-Q101適合
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25 °C)
品番 |
極性 |
絶対最大定格 |
ドレイン・ オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) |
チャネル・ Zth(ch-c) (°C/W) |
パッケージ |
シリーズ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ドレイン・ VDSS (V) |
ドレイン (DC) ID (A) |
ドレイン (パルス) IDP (A) |
チャネル Tch (°C) |
VGS= |
VGS= |
Tc= |
||||
max |
max |
max |
||||||||
| Nチャネル | 80 | 350 |
1050 |
175 | 1.23 |
0.83 |
0.2 |
L-TOGL™ | U-MOSⅩ-H | |
| 100 | 300 |
900 |
175 | 1.93 |
1.03 |
0.2 |
||||
内部回路構成図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
* L-TOGL™は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。
* その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
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