擴大 U-MOSX-H 系列 150 V N 通道 MOSFET 的產品陣容，以降低電源功耗
2024年4月產品新聞
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」 ） 現已推出兩款150 V N通道MOSFET產品，進一步拓展了此系列產品線。這兩款產品均採用新一代「U-MOSX-H系列」技術，適用於工業設備的電源供應器，可用於資料中心和通訊基地台。新產品採用貼片式SOP Advance(N)封裝， “TPH1100CQ5”和“TPH1400CQ5”產品的RDS(on)（最大值）分別為11.1 mΩ和14.1 mΩ 。
新產品TPH1100CQ5和TPH1400CQ5改善了逆向恢復[1]特性，該特性在同步整流應用中至關重要。相較於東芝的現有產品TPH1400CQH [2] ， TPH1400CQ5的逆向恢復電荷減少了約73% ，逆向恢復時間快了約45% 。 TPH1400CQ5用於同步整流應用[3] ，可降低電源供應器的功率損耗並有助於提高效率。
新產品同時也降低了MOSFET開關時汲極與源極之間產生的尖峰電壓[4] ，有助於降低電源供應器的電磁干擾（ EMI ）。
東芝將持續擴大產品線以降低設備功耗。
註：
[1]MOSFET二極體從正向偏壓切換至逆向偏壓的開關動作。
[2]採用TPH1400CQ5同世代製程且電壓和RDS(on)相同的產品。
[3]如果TPH1400CQ5用於在非逆向恢復模式電路中，則功率損耗與TPH1400CQH相同。
[4]用於逆向恢復模式的電路時。
應用
- Switching Power Supplies（高效率AC-DC轉換器、高效率DC-DC轉換器等）
- 馬達控制設備（馬達驅動器等）
特性
- 逆向恢復電荷低：
TPH1100CQ5 Q rr ＝32 nC （典型值） （- dI DR /dt＝100 A/ μs ）
TPH1400CQ5 Q rr ＝27 nC （典型值） （- dI DR /dt＝100 A/ μs 000 A/ μs ） - 逆向恢復時間短：
TPH1100CQ5 t rr ＝38 ns（典型值）（- dI DR /dt＝100 A/ μs ）
TPH1400CQ5 t rr ＝36 ns（典型值）（- dI DR /dt＝100 A/ μs ） - 較高的通道耐溫： T ch （最大值）＝175 °C
主要規格
（除非另有規定， T a ＝ 25 °C ）
| 元件型號 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 絕對最大額定值 | 汲極-源極電壓V DSS （ V ） | 150 |
|||
| 汲極電流 (DC) ID (A) | Tc=25 °C | 49 |
32 |
||
| 通道溫度 Tch (°C) | 175 |
||||
| 電氣特性 | 汲極-源極導通電阻 RDS(ON) (mΩ) | VGS=10 V | 最大值 | 11.1 |
14.1 |
| VGS=8 V | 最大值 | 13.6 |
17.3 |
||
| 總閘極電荷 Qg (nC) | 典型值 | 38 |
31 |
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| 輸入電容 Ciss (pF) | 典型值 | 2830 |
2400 |
||
| 閘極電阻 rg (Ω) | 典型值 | 1.5 |
1.2 |
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| 逆向恢復時間 trr (ns) | -dIDR/dt= 100 A/μs |
典型值 | 38 |
36 |
|
| 逆向恢復電荷 Qrr (nC) | 典型值 | 32 |
27 |
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| Package | SOP Advance(N) |
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內部電路
應用電路範例
註：
本文所示之應用電路僅供參考。
特別是在量產設計階段需要進行全面評估。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。
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