Toshiba採用新一代製程拓展150V N通道功率MOSFET產品線,協助降低電源能耗

2024年10月產品新聞

The package photograph of lineup expansion of 150V N-channel power MOSFETs using a new generation process that helps reduce power consumption of power supplies.

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(簡稱「東芝」 )最近推出的六款新產品均採用新一代「U- MOS Ⅹ -H系列」製成,拓展了150V  N通道功率MOSFET產品線。此系列產品適用於資料中心和通訊基地台等工業設備的開關電源。新產品的封裝方式為三腳直插式: “TK4R9E15Q5 、 TK7R2E15Q5和TK9R6E15Q5”型號產品採用TO-220非絕緣封裝, “TK5R0A15Q5 、 TK7R4A15Q5和TK9R7A150A15Q5 ”採用TO-220絕緣封裝產品。

新產品採用U- MOS Ⅹ-H製成,實現低漏電源導通電阻。特別是, TK4R9E15Q5型產品的漏電源導通電阻極低,最大值僅4.9 mΩ 。此外,新產品採用高速二極體( HSD ),透過減少反向恢復電荷和加快反向恢復時間,改善了對同步整流應用非常重要的反向恢復特性[1] 。新產品用於同步整流應用,可降低開關電源的功率損耗並有助於提高效率。
第一款產品TPH9R00CQ5 [2]採用了HSD ,與未採用HSD的東芝現有產品TPH9R00CQH [2]相比, TPH9R00CQ5型產品的反向恢復電荷減少了約74% ,反向恢復時間加快了約44 % 。除了貼片式封裝,採用此HSD的U- MOS Ⅹ -H製程也應用於直插式封裝。
新產品降低了MOSFET開關時汲極與源極之間產生的汲源尖峰電壓[3] ,有助於減少開關電源內的電磁干擾( EMI )。

東芝將持續促進其功率MOSFET產品線的拓展,協助提升電源效率,實現降低設備能耗此終極目標。

註:

[1]MOSFET二極體從正向偏壓切換至反向偏壓的開關動作
[2]SOP Advance / SOP Advance(N)封裝產品
[3]用於反向恢復模式的電路時

應用

  • 通訊設備等(高效率AC-DC轉換器、高效率DC-DC轉換器等)的開關電源
  • 馬達控制設備(馬達驅動等)

特點

  • 極低的導通電阻:
    TK4R9E15Q5 R DS(ON) =4.9 mΩ (最大值)(V GS =10 V )
  • 低反向恢復電荷:
    TK9R6E15Q5 Q rr =32 nC (typ)(- dI DR /dt=100 A/ μs )
  • 快反向恢復時間:
    TK9R6E15Q5 t rr =40 ns(typ)(- dI DR /dt=100 A/ μs )

主要規格

(除非另有規定, T a = 25 °C )

產品型號 絕對最大額定值 電氣特性 封裝
汲-
源極
電壓
VDSS
(V)
汲極
電流
(DC)
ID
(A)
通道溫度
Tch
(°C)
汲源極導通電阻
RDS(ON)
(mΩ)
閘極電荷總量
Qg
(nC)
輸入電容
Ciss
(pF)
閘極電阻
rg
(Ω)
反向恢復時間
trr
(ns)
反向恢復電荷
Qrr
(nC)
VGS=
10V
VGS=
8V
-dIDR/dt=
100A/μs
Tc=
25°C
最大值 最大值 典型值 典型值 典型值 典型值 典型值
TK4R9E15Q5 150 120 175 4.9 5.9 96 7820 1.9 50 50 TO-220
TK7R2E15Q5 84 7.2 8.7 66 4970 1.7 44 42
TK9R6E15Q5 52 9.6 11.5 50 3690 1.6 40 32
TK5R0A15Q5 76 5 6 96 7820 1.9 52 55 TO-220SIS
TK7R4A15Q5 57 7.4 8.8 66 4970 1.7 44 40
TK9R7A15Q5 49 9.7 11.6 50 3690 1.5 40 32

內部電路

The illustration of internal circuits of lineup expansion of 150V N-channel power MOSFETs using a new generation process that helps reduce power consumption of power supplies.

應用電路範例

The illustration of application circuit examples of lineup expansion of 150V N-channel power MOSFETs using a new generation process that helps reduce power consumption of power supplies.

註:
本文所示應用電路僅作供參考。
需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路實例並不授予任何工業產權許可。

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