2024年10月產品新聞
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(簡稱「東芝」 )最近推出的六款新產品均採用新一代「U- MOS Ⅹ -H系列」製成,拓展了150V N通道功率MOSFET產品線。此系列產品適用於資料中心和通訊基地台等工業設備的開關電源。新產品的封裝方式為三腳直插式: “TK4R9E15Q5 、 TK7R2E15Q5和TK9R6E15Q5”型號產品採用TO-220非絕緣封裝, “TK5R0A15Q5 、 TK7R4A15Q5和TK9R7A150A15Q5 ”採用TO-220絕緣封裝產品。
新產品採用U- MOS Ⅹ-H製成,實現低漏電源導通電阻。特別是, TK4R9E15Q5型產品的漏電源導通電阻極低,最大值僅4.9 mΩ 。此外,新產品採用高速二極體( HSD ),透過減少反向恢復電荷和加快反向恢復時間,改善了對同步整流應用非常重要的反向恢復特性[1] 。新產品用於同步整流應用,可降低開關電源的功率損耗並有助於提高效率。
第一款產品TPH9R00CQ5 [2]採用了HSD ,與未採用HSD的東芝現有產品TPH9R00CQH [2]相比, TPH9R00CQ5型產品的反向恢復電荷減少了約74% ,反向恢復時間加快了約44 % 。除了貼片式封裝,採用此HSD的U- MOS Ⅹ -H製程也應用於直插式封裝。
新產品降低了MOSFET開關時汲極與源極之間產生的汲源尖峰電壓[3] ,有助於減少開關電源內的電磁干擾( EMI )。
東芝將持續促進其功率MOSFET產品線的拓展,協助提升電源效率,實現降低設備能耗此終極目標。
註:
[1]MOSFET二極體從正向偏壓切換至反向偏壓的開關動作
[2]SOP Advance / SOP Advance(N)封裝產品
[3]用於反向恢復模式的電路時
(除非另有規定, T a = 25 °C )
產品型號 | 絕對最大額定值 | 電氣特性 | 封裝 | ||||||||
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汲- 源極 電壓 VDSS (V) |
汲極 電流 (DC) ID (A) |
通道溫度 Tch (°C) |
汲源極導通電阻 RDS(ON) (mΩ) |
閘極電荷總量 Qg (nC) |
輸入電容 Ciss (pF) |
閘極電阻 rg (Ω) |
反向恢復時間 trr (ns) |
反向恢復電荷 Qrr (nC) |
|||
VGS= 10V |
VGS= 8V |
-dIDR/dt= 100A/μs |
|||||||||
Tc= 25°C |
最大值 | 最大值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||||
TK4R9E15Q5 | 150 | 120 | 175 | 4.9 | 5.9 | 96 | 7820 | 1.9 | 50 | 50 | TO-220 |
TK7R2E15Q5 | 84 | 7.2 | 8.7 | 66 | 4970 | 1.7 | 44 | 42 | |||
TK9R6E15Q5 | 52 | 9.6 | 11.5 | 50 | 3690 | 1.6 | 40 | 32 | |||
TK5R0A15Q5 | 76 | 5 | 6 | 96 | 7820 | 1.9 | 52 | 55 | TO-220SIS | ||
TK7R4A15Q5 | 57 | 7.4 | 8.8 | 66 | 4970 | 1.7 | 44 | 40 | |||
TK9R7A15Q5 | 49 | 9.7 | 11.6 | 50 | 3690 | 1.5 | 40 | 32 |
註:
本文所示應用電路僅作供參考。
需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路實例並不授予任何工業產權許可。
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