電源の低消費電力化に貢献する新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充

製品情報　2024-10

これは、電源の低消費電力化に貢献する新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充の製品写真です。

当社は、データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した新世代プロセス「U-MOSⅩ-Hシリーズ」の150V耐圧NチャネルパワーMOSFETとして6品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。3ピンのリード挿入タイプのパッケージを採用したTO-220の「TK4R9E15Q5、TK7R2E15Q5、TK9R6E15Q5」とTO-220SISの「TK5R0A15Q5、TK7R4A15Q5、TK9R7A15Q5」です。

新製品は、U-MOSⅩ-Hプロセスを採用することで、ドレイン・ソース間オン抵抗を低減しています。特に、TK4R9E15Q5は業界トップクラス[注1]の低いドレイン·ソース間オン抵抗4.9mΩ (max) を実現しました。さらに、ハイスピード・ダイオード (HSD) による逆回復電荷量の低減、および逆回復時間を速くすることで同期整流用途に重要な逆回復特性[注2]を向上させました。これにより、同期整流用途で使用した場合、スイッチング電源の損失を低減し、高効率化に貢献します。
HSDを採用した先頭製品TPH9R00CQ5[注3]では、HSDを採用していない当社既存製品TPH9R00CQH[注3]と比べて逆回復電荷量が約74%低減、逆回復時間が約44%速くなります。このU-MOSⅩ-HプロセスのHSDを、表面実装タイプに加えてリード挿入タイプのパッケージにも展開しました。
新製品は、MOSFETのスイッチング時にドレイン・ソース間に発生するドレイン・ソース間スパイク電圧も低減[注4]しており、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。

当社は、今後も電源の高効率化に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。

[注1] 150V耐圧パワーMOSFETで、2024年10月23日現在、当社調べ。
[注2] MOSFETのボディーダイオードが順方向から逆方向バイアスに切り替わるスイッチング動作
[注3] SOP Advance/SOP Advance(N) パッケージ製品
[注4] 逆回復動作を行う回路で使用した場合

応用機器

  • 通信機器などのスイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
  • モーター制御機器 (モータードライブなど)

新製品の主な特長

  • 業界トップクラス[注1]の低いオン抵抗 :
    TK4R9E15Q5 RDS(ON)=4.9mΩ (max) (VGS=10V)
  • 低い逆回復電荷量 :
    TK9R6E15Q5 Qrr=32nC (typ.) (-dIDR/dt=100A/μs)
  • 速い逆回復時間 :
    TK9R6E15Q5 trr=40ns (typ.) (-dIDR/dt=100A/μs)

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番 絶対最大定格 電気的特性 パッケージ
ドレイン
・ソース
間電圧
VDSS
(V)		 ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)		 チャネル
温度
Tch
(°C)		 ドレイン・ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
(mΩ)		 ゲート
入力
電荷量
Qg
(nC)		 入力容量
Ciss
(pF)		 ゲート
抵抗
rg
(Ω)		 逆回復
時間
trr
(ns)		 逆回復
電荷量
Qrr
(nC)
VGS=
10V		 VGS=
8V		 -dIDR/dt=
100A/μs
Tc=
25°C		 Max Max Typ. Typ. Typ. Typ. Typ.
TK4R9E15Q5 150 120 175 4.9 5.9 96 7820 1.9 50 50 TO-220
TK7R2E15Q5 84 7.2 8.7 66 4970 1.7 44 42
TK9R6E15Q5 52 9.6 11.5 50 3690 1.6 40 32
TK5R0A15Q5 76 5 6 96 7820 1.9 52 55 TO-220SIS
TK7R4A15Q5 57 7.4 8.8 66 4970 1.7 44 40
TK9R7A15Q5 49 9.7 11.6 50 3690 1.5 40 32

内部回路構成図

これは、電源の低消費電力化に貢献する新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充の内部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源の低消費電力化に貢献する新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充の応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

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