東芝推出100V N通道功率MOSFET有助於降低車用設備功耗

February 25, 2020

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

- 溝槽結構的新型U-MOS X-H系列為採用東芝最新製程 

XK1R9F10QB

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出100V N通道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) - XK1R9F10QB,其適用於汽車的48V設備應用,例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。

這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品,採用該公司的最新[1]一代製程。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝,提供業界領先的低導通電阻[2],最大導通電阻為1.92mΩ,與目前的TK160F10N1L相比降低約20%,這有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化,還提供更低的開關雜訊,進而減少設備的EMI[3]。 此外,將閾值電壓寬縮小至1V,可以增強並聯時的開關同步性。 

應用

汽車設備(負載開關、開關電源和馬達驅動等)

產品特點

  • 採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET
  • 業界領先的低導通電阻
    VGS=10V時,RDS(ON)=1.92mΩ(最大值)
  • 符合AEC-Q101要求

產品規格

(@Ta=25°C)

Part

Number

Polarity

Absolute maximum ratings

Drain-source

On-resistance

RDS(ON) max

(mΩ)

Channel-

to-case thermal impedance

Zth(ch-c)

max

(℃/W)

Package

Series

Drain-

source

voltage

VDSS

(V)

Drain current

(DC)

ID

(A)

Drain

current

(pulsed)

IDP

(A)

Channel temperature

Tch

(℃)

@VGS

=6V

@VGS

=10V

XK1R9F10QB

N-channel

100

160

480

175

3.31

1.92

0.4

TO-220SM(W)

U-MOS X-H

Notes:

[1] 截至2020年2月25日
[2] 與具有相同VDSS最大額定值和封裝等級的產品進行比較;根據東芝調查,截至2020年2月25日。
[3] EMI(電磁干擾)

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XK1R9F10QB

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Automotive MOSFETs

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