車載機器の低消費電力化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETについて ～最新世代プロセスを採用した「U-MOS X-Hシリーズ」発売～
2020年2月25日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、48V系車載機器のロードスイッチ、スイッチング電源、モーター駆動などに適した100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売しました。１月から量産・出荷を開始しています。
新製品は、当社の最新世代プロセス[注1]を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」初の製品です。低抵抗パッケージのTO-220SM(W)に搭載することにより業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現しました。最大オン抵抗を1.92mΩに抑え、従来製品「TK160F10N1L」と比べて約20%低減しました。これにより機器の低消費電力化に貢献します。さらに、MOS構造の最適化によりスイッチングノイズが少なく、機器のEMI[注3]の低減に貢献できます。また、しきい値電圧幅を1Vに抑え、並列使用時のスイッチング同期性を高めています。
応用機器
車載機器 (ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなど)
新製品の主な特長
- 当社の最新世代プロセス[注1] を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」
- 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗
RDS(ON)=1.92mΩ (max) ＠VGS=10V
- AEC-Q101適合
新製品の主な仕様
(@Ta=25°C)
品番 |
極性 |
絶対最大定格 |
ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
チャネル・ ケース間 過渡熱 インピーダンス Zth(ch-c) max (℃/W) |
パッケージ |
シリーズ |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
ドレイン 電流 (パルス) IDP (A) |
チャネル 温度 Tch (℃) |
@VGS =6V |
@VGS =10V |
|||||
Nチャネル |
100 |
160 |
480 |
175 |
3.31 |
1.92 |
0.4 |
TO-220SM(W) |
U-MOS X-H |
|
[注1] 2020年2月25日時点
[注2] 同耐圧の製品、同一パッケージクラスにおいて。当社調べ (2020年2⽉25日時点) によるものです。
[注3] EMI (Electro Magnetic Interference): 電磁妨害
新製品の詳細については、下記ページをご覧ください。
当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。
＊社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。