東芝推出用於IGBT/MOSFET閘極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

2021年11月30日

東芝電子元件及存儲裝置股份有限公司

Left to right: an SO6L(LF4) and SO6L package.
Left to right: an SO6L(LF4) and SO6L package.

日本川崎—東芝電子元件及存儲裝置股份有限公司(“東芝”)推出了採用薄型SO6L封裝的兩款光耦TLP5705HTLP5702H,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣閘極驅動IC。這兩款元件即日起開始量產出貨。

TLP5705H採用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄型封裝(SO6L),是東芝首款可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。採用緩衝電路進行電流放大的中小型逆變器和伺服放大器等設備,現在可直接透過該光耦驅動其IGBT/MOSFET而無需任何緩衝器。這將有助於減少元件數量並實現設計小型化。

TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可相容東芝傳統的SDIP6封裝的焊盤[1],便於替代東芝現有產品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠為電路板元件布局提供更高的靈活性,並支援電路板背面安裝,或用於元件高度受限的新型電路設計。

這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃(Ta=-40至125ºC),使其更容易設計和保持溫度裕度。

此外,東芝提供的同系列元件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),採用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。

注:

[1] 封裝高度:4.25毫米(最大值)
[2] 目前產品:採用SDIP6封裝的TLP700H

應用

  • 工業設備
    • 工業逆變器、交流伺服驅動器、太陽能逆變器、UPS等。

特性

  • 高峰值輸出電流額定值(Ta=-40℃至125℃時)
    IOP=±2.5A (TLP5702H)
    IOP=±5.0A (TLP5705H)
  • 薄型SO6L封裝
  • 高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125°C

主要規格

(除非另有說明, T= -40°C  至 125°C 時)

元件型號

TLP5702H

TLP5705H

TLP5702H(LF4)

TLP5705H(LF4)

封裝

名稱

SO6L

SO6L(LF4)

尺寸 (mm)

10×3.84 (典型值),

t: 2.3 (最大值)

11.05×3.84 (典型值),

t: 2.3 (最大值)

絕對最大額定值

工作溫度 Topr (°C)

-40 至 125

峰值輸出電流 IOPH/IOPL (A)

±2.5

±5.0

±2.5

±5.0

電氣特性

峰值高電平輸出電流

IOPH 最大值 (A)

IF=5mA,

VCC=15V,

V6-5=-7V 時

-2.0

峰值低電平輸出電流

IOPL 最小值 (A)

IF=0mA,

VCC=15V,

V5-4=7V 時

2.0

峰值高電平輸出電流 (L/H)

IOLH 最大值 (A)

IF=0→10mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF 時

-3.5

-3.5

峰值低電平輸出電流 (H/L)

IOHL 最小值 (A)

IF=10→0mA,

VCC=15V,

Cg=0.18μF,

CVDD=10μF 時

3.0

3.0

電源電壓 VCC (V)

15 至 30

電源電流 ICCH, ICCL 最大值 (mA)

3.0

輸入電流閾值(L/H)

IFLH 最大值 (mA)

5

開關特性

傳播延遲時間

tpHL, tpLH 最大值 (ns)

200

脈衝寬度失真

|tpHL–tpLH| 最大值 (ns)

50

傳播延遲差

(元件到元件)

tpsk (ns)

-80 至 80

共模瞬變抗性

CMH, CML 最小值 (kV/μs)

@Ta=25°C

±50

隔離特性

隔離電壓

BVS 最小值  (Vrms)

@Ta=25°C

5000

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