2021年11月30日
東芝デバイス&ストレージ株式会社
当社は、小・中容量IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動用に薄型SO6Lパッケージのフォトカプラー「TLP5705H」および「TLP5702H」を製品化し、本日から出荷を開始します。
TLP5705Hは、高さが2.3mm(max)の薄型パッケージ(SO6L)でピーク出力電流定格±5.0Aを実現した、当社初の製品です。これにより、電流増幅用バッファー回路を使用する、低容量から中容量以上のインバーターやサーボなどのモデルに対しても、バッファー回路無しでフォトカプラーからIGBT/MOSFETを直接駆動することができ、部品点数削減、セットの小型化に貢献します。
TLP5702Hは、ピーク出力電流定格が±2.5Aです。当社従来のSDIP6パッケージ[注1]のランドパターンに実装可能なSO6Lパッケージにより、当社従来製品[注2]からの置き換えが容易にできます。さらに、SDIP6パッケージ製品よりもパッケージが薄いため、新規の回路設計では、セット基板上の部品配置自由度が向上し、基板裏面への実装や高さ制限のある場所で使用できます。
TLP5702HとTLP5705Hは、最大動作温度定格125℃に対応しており、主要特性の動作温度定格(Ta)を−40から125℃で規格化しました。これにより、熱設計マージンの確保や設計がしやすくなっています。
また、リードフォーミングオプションのSO6L(LF4)パッケージを採用した、TLP5702H(LF4)とTLP5705H(LF4)も製品化しています。
[注1] パッケージの高さ : 4.25mm(max)
[注2] 従来製品 : SDIP6パッケージ TLP700H
(特に指定のない限り、@Ta=-40~125°C)
品番 |
TLP5702H(LF4) |
TLP5705H(LF4) |
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パッケージ |
名称 |
SO6L |
SO6L(LF4) |
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寸法 (mm) |
10×3.84 (typ.), t: 2.3 (max) |
11.05×3.84 (typ.), t: 2.3 (max) |
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絶対最大 定格 |
動作温度 Topr (°C) |
-40~125 |
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ピーク出力電流 IOPH/IOPL (A) |
±2.5 |
±5.0 |
±2.5 |
±5.0 |
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電気的 特性 |
ピークハイレベル 出力電流 IOPH max (A) |
@IF=5mA、 VCC=15V、 V6-5=-7V |
-2.0 |
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ピークローレベル 出力電流 IOPL min (A) |
@IF=0mA、 VCC=15V、 V5-4=7V |
2.0 |
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ピークハイレベル 出力電流 (L/H) IOLH max (A) |
@IF=0→10mA、 VCC=15V、 Cg=0.18μF、 CVDD=10μF |
- |
-3.5 |
- |
-3.5 |
|
ピークローレベル 出力電流 (H/L) IOHL min (A) |
@IF=10→0mA、 VCC=15V、 Cg=0.18μF、 CVDD=10μF |
- |
3.0 |
- |
3.0 |
|
電源電圧 VCC (V) |
15~30 |
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供給電流 ICCH、ICCL max (mA) |
3.0 |
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スレッショルド入力電流 (L/H) IFLH max (mA) |
5 |
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スイッチング特性 |
伝搬遅延時間 tpHL、tpLH max (ns) |
200 |
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伝搬遅延時間バラツキ |tpHL–tpLH| max (ns) |
50 |
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伝搬遅延スキュー tpsk (ns) |
-80~80 |
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コモンモード 過渡耐性 CMH、CML min (kV/μs) |
@Ta=25°C |
±50 |
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絶縁特性 |
絶縁耐圧 BVS min (Vrms) |
@Ta=25°C |
5000 |
|||
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