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東芝推出採用最新一代工藝的150V N通道功率MOSFET,可大幅提高電源效率

2022年3月31日

東芝電子元件及儲存裝置株式會社

March 31, 2022

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Releases 150V N-channel Power MOSFET that Uses Latest Generation Process to Improve Power Supply Efficiency

日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,推出150V N通道功率MOSFET---“ TPH9R00CQH”。 該元件採用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用於工業設備開關電源,其中包括資料中心電源和通信基站電源。 該產品於今日開始支援批量出貨。 

與使用當前一代「U-MOSVIII.-H」工藝的150V產品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH 的汲源極導通電阻下降約42%。 對新型MOSFET的結構優化促進實現汲源極導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現了優異的低損耗特性。 此外,開關操作時汲極和源極之間的尖峰電壓降低,有助於減少開關電源的電磁干擾(EMI)。 該產品提供SOP Advance和更為廣泛採用的SOP Advance(N)這兩種類型的表面貼裝封裝。 

與此同時,東芝還提供各類工具,為開關電源的電路設計提供支援。 除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型,現在還提供能精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。 

東芝將進一步擴大其MOSFET產品線,通過減少損耗提高設備電源效率,進而降低功耗。

注:

[1]截至2022年3月的東芝調查。 

[2]閘極開關電荷和輸出電荷。

[3]與現有產品TPH1500CNH(U-MOSVIII.-H系列)相比,該產品將汲源極導通電阻×閘極開關電荷提高了大約20% ,汲源極導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。

應用

  • 通信設備電源
  • 開關電源(高效率DC-DC轉換器等)

特性

  • 優異的低損耗特性
    (在導通電阻和閘極開關電荷及輸出電荷間取得平衡)
  • 卓越的導通電阻: RDS(ON)=9.0mΩ (最大值) @VGS=10V
  • 高額定結溫: Tch (最大值)=175°C

主要規格

(除非另有说明, @Ta=25°C)

器件型號

TPH9R00CQH

絕對最大額定值

汲源極電壓  VDSS  (V)

150

汲極電流(直流)  ID  (A)

@Tc=25°C

64

結溫  Tch  (°C)

175

電氣特性

汲源極導通電阻  RDS(ON)

最大值 (mΩ)

@VGS=10V

9.0

@VGS=8V

11

總閘極電荷(閘極-源極+閘極-汲極) Qg

典型值 (nC)

44

閘極開關電荷  Qsw  典型值 (nC)

11.7

輸出電荷  Qoss  典型值 (nC)

87

輸入電容  Ciss  典型值 (pF)

3500

封裝

名稱

SOP Advance

SOP Advance(N)

尺寸典型值  (mm)

5.0×6.0

4.9×6.1

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