東芝推出採用最新一代工藝的150V N通道功率MOSFET，可大幅提高電源效率
2022年3月31日
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣佈，推出150V N通道功率MOSFET---“ TPH9R00CQH”。 該元件採用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用於工業設備開關電源，其中包括資料中心電源和通信基站電源。 該產品於今日開始支援批量出貨。
與使用當前一代「U-MOSVIII.-H」工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH 的汲源極導通電阻下降約42%。 對新型MOSFET的結構優化促進實現汲源極導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現了優異的低損耗特性。 此外，開關操作時汲極和源極之間的尖峰電壓降低，有助於減少開關電源的電磁干擾（EMI）。 該產品提供SOP Advance和更為廣泛採用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。
與此同時，東芝還提供各類工具，為開關電源的電路設計提供支援。 除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，現在還提供能精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而降低功耗。
注：
[1]截至2022年3月的東芝調查。
[2]閘極開關電荷和輸出電荷。
[3]與現有產品TPH1500CNH（U-MOSVIII.-H系列）相比，該產品將汲源極導通電阻×閘極開關電荷提高了大約20% ，汲源極導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。
應用
- 通信設備電源
- 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）
特性
- 優異的低損耗特性
（在導通電阻和閘極開關電荷及輸出電荷間取得平衡） - 卓越的導通電阻: RDS(ON)=9.0mΩ (最大值) @VGS=10V
- 高額定結溫: Tch (最大值)=175°C
主要規格
(除非另有说明, @Ta=25°C)
器件型號 |
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|---|---|---|---|---|
絕對最大額定值 |
汲源極電壓 VDSS (V) |
150 |
||
汲極電流（直流） ID (A) |
@Tc=25°C |
64 |
||
結溫 Tch (°C) |
175 |
|||
電氣特性 |
汲源極導通電阻 RDS(ON) 最大值 (mΩ) |
@VGS=10V |
9.0 |
|
@VGS=8V |
11 |
|||
總閘極電荷（閘極-源極+閘極-汲極） Qg 典型值 (nC) |
44 |
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閘極開關電荷 Qsw 典型值 (nC) |
11.7 |
|||
輸出電荷 Qoss 典型值 (nC) |
87 |
|||
輸入電容 Ciss 典型值 (pF) |
3500 |
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封裝 |
名稱 |
SOP Advance |
SOP Advance(N) |
|
尺寸典型值 (mm) |
5.0×6.0 |
4.9×6.1 |
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庫存查詢與購買 |
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TPH9R00CQH
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