提升次世代 AI 資料中心效率 Toshiba 開始出貨 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 測試樣品
2026年5月21日
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
日本川崎--(東芝電子元件及儲存裝置株式會社 ("Toshiba")今日開始出貨「TW007D120E」測試樣品，此 1200 V 溝槽式閘極 SiC MOSFET 主要用於次世代 AI 資料中心的電源供應系統，亦適用於再生能源相關設備。
隨著生成式 AI 快速擴張，耗電量遽增已成為資料中心迫在眉睫的課題。尤其是高功率 AI 伺服器的廣泛採用，以及 800 V 高壓直流 (HVDC) 架構部署日益增加，正全面推升市場對高電源轉換效率與高功率密度電源供應系統的需求。Toshiba 研發出 TW007D120E 以因應次世代 AI 資料中心需求，將有助於降低耗電量，並推動電源供應系統實現小型化與高效化。
TW007D120E 採用 Toshiba 獨家溝槽式閘極結構 [1]，達到業界領先 [2] 的低單位面積導通電阻 (RDS (on)) A)；透過更低的導通電阻減少導通損耗，同時降低切換損耗。與 Toshiba 現有產品相比，TW007D120E 的 RDS (on)A 降低約 58% [3]，而代表導通損耗與切換損耗之間權衡取捨關係的效能指數（導通電阻 × 閘極-汲極電荷，RDS(on) × Qgd) 則改善約 52% [3]。這些特性將有助於資料中心電源供應系統實現高效運作並減少發熱，進而提升整體系統效率。
新產品採用支援頂面散熱的 QDPAK 封裝。這有助於在功率級實現更高功率密度的部署並強化散熱表現，兩者對於次世代 AI 資料中心的功率轉換皆不可或缺。
Toshiba 將於 2026 會計年度期間籌備 TW007D120E 的量產，並持續擴大產品陣容，包含開發車用領域。透過溝槽式閘極 SiC MOSFET，Toshiba 將致力提升資料中心與各類工業設備的電力效率並減少二氧化碳排放，支持實現淨零碳排社會。
TW007D120E 是基於 New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) 補助專案 JPNP21029 的成果所研發。
註:
[1] 在半導體基板中形成微細溝槽，並將閘極電極埋入溝槽內的元件結構。
[2] Toshiba 研究，截至 2026 年 5 月。
[3] 新研發的 1200 V SiC MOSFET 與 Toshiba 第三代 SiC MOSFET (TW015Z120C) 之比較。Toshiba 研究，截至 2026 年 5 月。
應用領域
- 資料中心電源供應器 (AC-DC, DC-DC)
- 太陽能逆變器
- 不斷電系統 (UPS)
- 電動車充電站
- 儲能系統
- 工業馬達
產品特色
- 低導通電阻與低 RDS(on) A
- 低切換損耗與低 RDS(on) × Qgd
- 低閘極驅動電壓：VGS_ON = 15 V 至 18 V
- 高散熱效能的 QDPAK 封裝
主要規格
（除非另有說明，否則 Tvj =25°C)
| 產品型號 | TW007D120E | |||
|---|---|---|---|---|
| 封裝 | 名稱 | QDPAK | ||
| 絕對最大額定值 | 汲極-源極電壓 VDSS (V) | 1200 | ||
| 汲極電流 (DC) ID (A) | Tc=25°C | 172 | ||
| 電氣特性 | 汲極-源極導通電阻 RDS(on) (mΩ) |
VGS=15V | 典型值 | 7.0 |
| 閘極門檻電壓 Vth (V) | VDS=10V | 3.0 至 5.0 | ||
| 總閘極電荷 Qg (nC) | VGS=15V | 典型值 | 317 | |
| 閘極-汲極電荷 Qgd (nC) | VGS=15V | 典型值 | 33 | |
| 输入電容 Ciss (pF) | VDS=800V | 典型值 | 13972 | |
| 二極體順向電壓 VSD (V) | VGS=0V | 典型值 | 3.2 | |
註：開發中產品的規格與時程如有變更，恕不另行通知。
性能對比圖表
測試條件: VGS=18V (TW015Z120C), VGS=15V (TW007D120E), Tvj=25°C. 截至2026年5月的東芝調查。
請造訪下方連結以了解更多有關 Toshiba 的 SiC 功率元件資訊
SiC 功率元件
客戶查詢：
功率與小訊號元件行銷業務部
電話: +81-44-548-2216
* 公司名稱、產品名稱與服務名稱可能為其各自公司的商標。
* 本文件中的資訊（包含產品價格與規格、服務內容與聯絡資訊）為發布當日的最新資訊，如有變更，恕不另行通知。