4500 V/1000 A 新型壓接式 IEGT，有助於高壓轉換器的尺寸減小和高輸出
產品新聞 2024年4月
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）推出了新開發的壓接型包裝IEGT [1] “ST1000GXH35”，額定電壓為4500 V/1000 A，適用於直流輸電系統和工業馬達控制器等高壓轉換器。
新產品ST1000GXH35採用溝槽型IEGT晶片和高速二極體晶片。
IEGT 晶片可降低集極-射極飽和電壓並提高關斷耐受性、短路耐受性和高溫耐受性。因此，與現有產品 ST750GXH24 相比，集極-射極飽和電壓 (V CE(sat) ) [2]降低了約 28%，從 3.00 V 降至 2.15 V（Typ.）。
高速二極體晶片抑制反向恢復時的電壓振盪，提高反向恢復耐受性和高溫耐受性。新產品可以比現有產品以更高的開通速度使用，因此開通損耗 (E on ) [3][4]降低了約 34%，從 4.15 J 降至 2.75 J（Typ.）。
針對需要高電壓的應用，關斷測試和短路測試的測試電壓已提高至3400 V [5] 。此外，透過提高二極體的耐高溫能力，接面溫度值已從 125 °C 提高到 150 °C（最大值）。
ST1000GXH35有助於降低直流輸電、靜態無功補償器和工業馬達控制器等高壓轉換器的小型化和高輸出。
註：
[1] IEGT：電子注入增強型閘極電晶體[2] V CE(sat)條件：V GE =15 V， IC =750 A， T j =125 °C
[3] E在現有產品ST750GXH24 的條件下： V CC =2800 V，IC = 750 A，R G(on) =10 Ω，L S ≈300 nH ， T j =125 °C
[4]新產品 ST1000GXH35 條件下的 E：V CC =2800 V， I C =750 A，R G(on) =5.6 Ω，L S ≈300 nH ， T j =125 °C
[5] 現有產品 ST750GXH24 關閉測試電壓為 2700 V，短路測試電壓為3000V。
應用領域
- 直流輸電
- 靜態無功補償器
- 工業馬達控制器
特徵
- 低集電極-射極飽和電壓和低導通開關損耗
- 測試電壓增強至 3400 V，用於關閉和短路測試
- 最大接面值： T j (max)=150 °C
主要規格
(T c = 25 °C，除非另有說明)
| 料號 | ST1000GXH35 | |||
|---|---|---|---|---|
| 封裝 | 2-120B1S | |||
| 絕對 最大額定值 |
集極-射極電壓 VCES (V) | 4500 | ||
| 閘極-射極電壓 VGES (V) | ±20 | |||
| 集電極電流 (DC) IC (A) | Tf=108 °C | 1000 | ||
| 二極體正向電流 (DC) IF (A) | Tf=15 °C | 1000 | ||
| Junction temperature Tj (°C) | -40 to 150 | |||
| 電氣 特性 |
集極-射極飽和電壓 VCE(sat) (V) |
VGE =15 V, IC =1000 A, Tj＝150 °C |
典型值 | 2.50 |
| 正向電壓 VF (V) | IF=1000 A, Tj=150 °C | 典型值 | 3.10 | |
| 開通損耗 Eon (J) |
VCC=2800 V, IC=1000 A, RG(on)=5.6 Ω, Ls≈300 nH, Tj=150 °C |
典型值 | 3.75 | |
| 關斷損耗 Eoff (J) |
VCC=2800 V, IC=1000 A, RG(off)=91 Ω, Ls≈300 nH, Tj=150 °C |
典型值 | 5.25 | |
| 反向恢復損耗 Err (J) |
VCC=2800 V, IF=1000 A, RG(on)=5.6 Ω, Ls≈300 nH, Tj=150 °C |
典型值 | 1.70 | |
| 短路脈衝寬度 tPSC (μs) |
VCC=3400 V, VGE=±15 V, RG(on)=5.6 Ω, RG(off)=91 Ω, Ls≈150 nH, Tj=125 °C |
最大限度 | 10 | |
內部電路
應用電路範例
附註：
本文檔中所示的應用電路僅供參考。
需要徹底的評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。
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