擴展採用新製程的80V N通道功率MOSFET的產品陣容有助於改善電源供應器的效率 : TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3R2A08QM, TK5R1A08QM, TK6R8A08QM, TK5R1P08QM, TK6R9P08QM

產品新聞 2021年3月

The package photograph of expansion of the lineup of 80 V N-channel power MOSFETs with the adoption of a new process that helps to improve the efficiency of power supplies : TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3R2A08QM, TK5R1A08QM, TK6R8A08QM, TK5R1P08QM, TK6R9P08QM.

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了10款適用於工業設備的交換式電源供應器的新一代80 V N通道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產品。共提供三種類型的封裝： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 採用直插式封裝TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 採用絕緣型直插式封裝TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”採用貼片式封裝DPAK。

新產品採用新一代具有低壓溝槽結構的U-MOSⅩ-H製程，具有業內領先的[1]低漏源導通電阻。這減少了導通損耗，有助於降低設備的功耗。此外，它們繼承了現有製程U-MOSVIII-H的低柵極開關電荷特性。這降低了漏源導通電阻x柵極開關電荷[2]的值（開關應用的品質因數）。

注:
[1] 相對於具有相同評級的產品，截至2021年2月東芝的調查。
[2] 與TK100E08N1（U-MOSVIII-H系列）相比，TK2R4E08QM的“典型漏源導通電阻×典型柵極開關電荷”降低了8%左右。

特性

  • 業內最低等級[1]的導通電阻:
       RDS(ON)=2.44 mΩ (最大值) ＠VGS=10 V (TK2R4E08QM)
  • 低電荷（輸出和柵極開關）
  • 低柵極電壓驅動（6V驅動）

應用

  • 工業設備的交換式電源供應器 （高效AC-DC轉換器、高效DC-DC轉換器等）

  • ·     電機控制設備（電機驅動器等）

 

產品規格

(Unless otherwise specified, @Ta=25 °C)

器件型號 絕對最大額定值


漏源導通電阻

RDS(ON)
最大值
(mΩ)


總柵極電荷
Qg典型值

(nC)


柵極開關電荷

QSW典型值

(nC)


輸出電荷
Qoss典型值

(nC)


輸入電容
Ciss典型值

(pF)

 封裝


漏源電壓

VDSS
(V)


漏極電流

(DC)
ID
(A)
@Tc=
25 °C		 @VGS=
10 V		 @VGS=
6 V
TK2R4E08QM 80 120 2.44 3.2 178 52 210 13000 TO-220
TK3R3E08QM 120 3.3 4.2 110 31 119 7670
TK5R3E08QM 120 5.3 7.3 55 17 66 3980
TK7R0E08QM 64 7.0 9.7 39 11.6 46 2700
TK2R4A08QM 100 2.44 3.1 179 54 210 13000 TO-220SIS
TK3R2A08QM 92 3.2 4.1 102 31 119 7670
TK5R1A08QM 70 5.1 4.1 54 17 66 3980
TK6R8A08QM 58 6.8 9.5 39 13 46 2700
TK5R1P08QM 84 5.1 7.0 56 17 66 3980 DPAK
TK6R9P08QM 62 6.9 9.6 39 11.6 46 2700

內部電路

The illustration of internal circuits of expansion of the lineup of 80 V N-channel power MOSFETs with the adoption of a new process that helps to improve the efficiency of power supplies : TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3R2A08QM, TK5R1A08QM, TK6R8A08QM, TK5R1P08QM, TK6R9P08QM.

應用電路示例

The illustration of application circuit examples of expansion of the lineup of 80 V N-channel power MOSFETs with the adoption of a new process that helps to improve the efficiency of power supplies : TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3R2A08QM, TK5R1A08QM, TK6R8A08QM, TK5R1P08QM, TK6R9P08QM.
The illustration of application circuit examples of expansion of the lineup of 80 V N-channel power MOSFETs with the adoption of a new process that helps to improve the efficiency of power supplies : TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3R2A08QM, TK5R1A08QM, TK6R8A08QM, TK5R1P08QM, TK6R9P08QM.

注：本文所示應用電路僅供參考。
       需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
       提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。

* 本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊，在公告之日仍為最新資訊，如有變更，恕不另行通知。

關鍵字 : LVMOS  ; LV MOS ; LVMOSFET ; LVMOSFETS ; LV MOSFET ; LV MOSFETS ; LOW VOLTAGE ; LOW VOLTAGES 

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