電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM、TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、TK6R8A08QM、TK5R1P08QM、TK6R9P08QM

製品情報 2021-03

これは、電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TK2R4E08QM、 TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM、TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、 TK6R8A08QM、TK5R1P08QM、TK6R9P08QMの製品写真です。

当社は、産業機器のスイッチング電源に適した新世代80 V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOSⅩ-Hシリーズ」へ10品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。パッケージは3種類で、リード挿入タイプTO-220採用の「TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM」、絶縁型リード挿入タイプ TO-220SIS採用の「TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、TK6R8A08QM」、表面実装タイプDPAK採用の「TK5R1P08QM、TK6R9P08QM」です。

新製品は、低耐圧トレンチ構造の新世代プロセス「U-MOSⅩ-H」を採用し、業界トップクラス[注1]の低いドレイン·ソース間オン抵抗を実現しました。これにより導通損失が低減し、機器の省電力化に貢献できます。さらに、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hの特長である低ゲートスイッチ電荷量特性も引き継いでいます。これによりスイッチング用途時の性能指数であるドレイン・ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を低減[注2]しています。

[注1] 同定格の製品で、当社調べ (2021年2月時点) によるものです。
[注2] TK2R4E08QMの場合、TK100E08N1 (U-MOSVIII-H) と比べてドレイン・ソースオン抵抗 (typ.)×ゲートスイッチ電荷量 (typ.) を約8 %低減。

特長

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗 :
    RDS(ON)=2.44 mΩ (max) ＠VGS=10 V (TK2R4E08QM)
  • 低電荷量（出力／ゲートスイッチ）
  • 低ゲート電圧駆動 (6 V駆動)

用途

  • 産業機器のスイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
  • モーター制御機器 (モータードライブなど)

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)

品番 絶対最大定格 ドレイン ·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
(mΩ)		 ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)		 ゲート
スイッチ
電荷量
QSW
typ.
(nC)		 出力
電荷量
Qoss
typ.
(nC)		 入力
容量
Ciss
typ.
(pF)		 パッケージ
ドレイン ·
ソース間
電圧
VDSS
(V)		 ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
@Tc=
25 °C		 @VGS=
10 V		 @VGS=
6 V
TK2R4E08QM 80 120 2.44 3.2 178 52 210 13000 TO-220
TK3R3E08QM 120 3.3 4.2 110 31 119 7670
TK5R3E08QM 120 5.3 7.3 55 17 66 3980
TK7R0E08QM 64 7.0 9.7 39 11.6 46 2700
TK2R4A08QM 100 2.44 3.1 179 54 210 13000 TO-220SIS
TK3R2A08QM 92 3.2 4.1 102 31 119 7670
TK5R1A08QM 70 5.1 7.1 54 17 66 3980
TK6R8A08QM 58 6.8 9.5 39 13 46 2700
TK5R1P08QM 84 5.1 7.0 56 17 66 3980 DPAK
TK6R9P08QM 62 6.9 9.6 39 11.6 46 2700

内部回路構成図

これは、電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TK2R4E08QM、 TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM、TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、 TK6R8A08QM、TK5R1P08QM、TK6R9P08QMの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TK2R4E08QM、 TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM、TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、 TK6R8A08QM、TK5R1P08QM、TK6R9P08QMの応用回路例です。
これは、電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TK2R4E08QM、 TK3R3E08QM、TK5R3E08QM、TK7R0E08QM、TK2R4A08QM、TK3R2A08QM、TK5R1A08QM、 TK6R8A08QM、TK5R1P08QM、TK6R9P08QMの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

∗ 本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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