有助於延長電池驅動設備的工作時間的小型低導通電阻共漏極MOSFET產品線擴展：SSM10N954L

產品新聞2021年4月

The package photograph of lineup expansion of small, low On-resistance common-drain MOSFET products helping battery-driven devices operate for longer periods of time : SSM10N954L.

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）擴展了共漏極12V多通道MOSFET產品線，推出一款用於移動設備和其他設備鋰離子電池組電池保護電路的產品—SSM10N954L。

鋰離子電池組採用高強的保護電路來增強安全性。此外，還需要減少鋰離子電池充／放電時的發熱。這種保護電路要求低功耗、高密度安裝，因此需要小且薄的低導通電阻MOSFET產品。

新產品與此前發佈的SSM6N951L相似，也採用了微工藝，並進一步降低了導通電阻。由於該產品具有行業領先的[1]低導通電阻特性，因此具有低功耗。其柵極漏電流低（柵極-源極洩漏電流低），還具有低待機功耗的特性，因此有助於延長電池的執行時間。此外，它採用新型封裝TCSPAC-153001（1.49mm×2.98mm，厚度：0.11mm（典型值））。

注：

[1]與具有相同最大額定值的產品相比，根據截止於2021年3月的東芝調查。

特性

  •  行業領先的[1]低導通電阻 : RSS(ON)=2.2 mΩ (典型值) @VGS=3.8 V
  •  行業領先的[1]低柵源漏電流 : IGSS=±1 µA (最大值) @VGS=±8 V
  •  小型表面貼裝TCSPAC-153001封裝 : 1.49mm×2.98mm，厚度：0.11mm（典型值）
  •  可輕鬆用於電池保護電路中的共漏極結構

應用

帶鋰電子電池組的設備

  • 辦公和個人設備（智慧手機、平板電腦、移動電源和可穿戴設備等）
  • 消費類電子設備（遊戲機、電動牙刷、小型數位相機和數位單眼反光相機等）

產品規格

(@Ta=25 °C)

器件型號 SSM10N954L SSM6N951L[2]
結構 N溝道共漏極

絕對最大

額定值

 源極-源極電壓 VSSS (V) 12
柵極-源極電壓 VGSS (V) ±8
源極電流 (DC) IS (A) 13.5 8


柵極-源極漏電流

IGSS 最大 @VGS＝±8 V (µA)

 ±1


源極-源極導通電阻

RSS(ON) 典型值
(mΩ)

 @VGS＝4.5 V 2.1 4.4
@VGS＝3.8 V 2.2 4.6
@VGS＝3.1 V 2.4 4.9
@VGS＝2.5 V 3.1 5.5
封裝 名稱 TCSPAC-153001 TCSP6A-172101
尺寸典型值 (mm) 1.49 × 2.98, 厚度 : 0.11 2.14 × 1.67, 厚度 : 0.11

注：

[2]此前發佈的產品

等效電路

The illustration of equivalent circuit of lineup expansion of small, low On-resistance common-drain MOSFET products helping battery-driven devices operate for longer periods of time : SSM10N954L.

應用電路示例

The illustration of application circuit example of lineup expansion of small, low On-resistance common-drain MOSFET products helping battery-driven devices operate for longer periods of time : SSM10N954L.

本文所示應用電路僅供參考。

需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。

提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。

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