バッテリー駆動機器の長時間動作に貢献する小型·低オン抵抗のドレインコモンMOSFETのラインアップ拡充 : SSM10N954L

製品情報 2021-04

これは、バッテリー駆動機器の長時間動作に貢献する小型·低オン抵抗のドレインコモンMOSFETのラインアップ拡充 : SSM10N954Lの製品写真です。

当社は、モバイル機器などのリチウムイオン (Li-ion) 電池パックに使用するバッテリー保護回路向けに、ドレインコモン接続12 V耐圧NチャネルMOSFET「SSM10N954L」を製品化し、ラインアップを拡充しました。

Li-ion電池パックには、充放電時の発熱の低減や、安全性を高めるため、堅牢性の高い保護回路が採用されています。このため、保護回路には低電力損失と高密度実装が必要となっており、MOSFETにおいては低いオン抵抗と小型·薄型サイズが求められます。

新製品は、先行リリースしたSSM6N951Lと同じ当社微細プロセスを採用し、さらにオン抵抗を低減しました。これにより業界トップクラス[注1]の低オン抵抗特性による低電力損失を実現しました。さらに、ゲートからの低い漏れ電流 (低ゲート·ソース間漏れ電流) 特性による低待機電力化を両立することで、バッテリーの長時間動作に貢献します。また、新パッケージのTCSPAC-153001 (1.49 mm × 2.98 mm、t : 0.11 mm (typ.)) を採用しています。

[注1] 同定格の製品において。当社調べ (2021年3月時点) によるものです。

特長

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗 : RSS(ON)=2.2 mΩ (typ.) @VGS=3.8 V
  • 業界トップクラス[注1]の低ゲート·ソース間漏れ電流 : IGSS=±1 µA (max) @VGS=±8 V
  • 小型面実装TCSPAC-153001パッケージ : 1.49 mm × 2.98 mm、t : 0.11 mm (typ.)
  • バッテリー保護回路で使用しやすいドレインコモン構造

用途

Li-ion電池パック搭載機器

  • オフィス/パーソナル機器 (スマートフォン、タブレット、パワーバンク、ウエアラブル端末など)
  • 民生機器 (ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタルスチルカメラ、デジタル一眼レフカメラなど)

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 SSM10N954L SSM6N951L[注2]
構造 Nチャネルドレインコモン
絶対最大定格 ソース·ソース間電圧 VSSS (V) 12
ゲート·ソース間電圧 VGSS (V) ±8
ソース電流 (DC) IS (A) 13.5 8
ゲート·ソース間漏れ電流 IGSS max @VGS=±8 V (µA) ±1
ソース·ソース間オン抵抗
RSS(ON) typ. (mΩ)
@VGS=4.5 V 2.1 4.4
@VGS=3.8 V 2.2 4.6
@VGS=3.1 V 2.4 4.9
@VGS=2.5 V 3.1 5.5
パッケージ 名称 TCSPAC-153001 TCSP6A-172101
寸法 typ. (mm) 1.49 × 2.98、t : 0.11 2.14 × 1.67、t : 0.11

[注2] 先行リリース製品

等価回路図

これは、バッテリー駆動機器の長時間動作に貢献する小型·低オン抵抗のドレインコモンMOSFETのラインアップ拡充 : SSM10N954Lの等価回路図です。

応用回路例

これは、バッテリー駆動機器の長時間動作に貢献する小型·低オン抵抗のドレインコモンMOSFETのラインアップ拡充 : SSM10N954Lの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

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