バッテリー駆動機器の長時間動作に貢献する小型·低オン抵抗のドレインコモンMOSFETのラインアップ拡充 : SSM10N954L
製品情報 2021-04
当社は、モバイル機器などのリチウムイオン (Li-ion) 電池パックに使用するバッテリー保護回路向けに、ドレインコモン接続12 V耐圧NチャネルMOSFET「SSM10N954L」を製品化し、ラインアップを拡充しました。
Li-ion電池パックには、充放電時の発熱の低減や、安全性を高めるため、堅牢性の高い保護回路が採用されています。このため、保護回路には低電力損失と高密度実装が必要となっており、MOSFETにおいては低いオン抵抗と小型·薄型サイズが求められます。
新製品は、先行リリースしたSSM6N951Lと同じ当社微細プロセスを採用し、さらにオン抵抗を低減しました。これにより業界トップクラス[注1]の低オン抵抗特性による低電力損失を実現しました。さらに、ゲートからの低い漏れ電流 (低ゲート·ソース間漏れ電流) 特性による低待機電力化を両立することで、バッテリーの長時間動作に貢献します。また、新パッケージのTCSPAC-153001 (1.49 mm × 2.98 mm、t : 0.11 mm (typ.)) を採用しています。
[注1] 同定格の製品において。当社調べ (2021年3月時点) によるものです。
特長
- 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗 : RSS(ON)=2.2 mΩ (typ.) @VGS=3.8 V
- 業界トップクラス[注1]の低ゲート·ソース間漏れ電流 : IGSS=±1 µA (max) @VGS=±8 V
- 小型面実装TCSPAC-153001パッケージ : 1.49 mm × 2.98 mm、t : 0.11 mm (typ.)
- バッテリー保護回路で使用しやすいドレインコモン構造
用途
Li-ion電池パック搭載機器
- オフィス/パーソナル機器 (スマートフォン、タブレット、パワーバンク、ウエアラブル端末など)
- 民生機器 (ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタルスチルカメラ、デジタル一眼レフカメラなど)
製品仕様
(@Ta=25 °C)
| 品番 | SSM10N954L | SSM6N951L[注2] | |
|---|---|---|---|
| 構造 | Nチャネルドレインコモン | ||
| 絶対最大定格 | ソース·ソース間電圧 VSSS (V) | 12 | |
| ゲート·ソース間電圧 VGSS (V) | ±8 | ||
| ソース電流 (DC) IS (A) | 13.5 | 8 | |
| ゲート·ソース間漏れ電流 IGSS max @VGS＝±8 V (µA) | ±1 | ||
| ソース·ソース間オン抵抗 RSS(ON) typ. (mΩ) |
@VGS＝4.5 V | 2.1 | 4.4 |
| @VGS＝3.8 V | 2.2 | 4.6 | |
| @VGS＝3.1 V | 2.4 | 4.9 | |
| @VGS＝2.5 V | 3.1 | 5.5 | |
| パッケージ | 名称 | TCSPAC-153001 | TCSP6A-172101 |
| 寸法 typ. (mm) | 1.49 × 2.98、t : 0.11 | 2.14 × 1.67、t : 0.11 | |
[注2] 先行リリース製品
等価回路図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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