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東芝拓展新一代超接合面結構N通道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線,助於電源效率的提高

產品新聞2022年2月

The package photograph of lineup expansion of new generation super junction structure N-channel power MOSFET “DTMOSVI Series” that helps improve efficiency of power supplies : TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z, TK190E65Z.

東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝”)在其DTMOSVI系列新一代650 V超接合面結構N通道功率MOSFET中推出四款新產品——“TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z”,它們適用於資料中心、光伏發電機功率調節器等工業設備的開關電源。
產品線擴展了器件的封裝、汲源極導通電阻和閘汲極電荷。

與上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“汲源極導通電阻×閘汲極電荷”的品質因數降低約40%[1],關電源效率提高約0.36%[2]

為滿足市場需求,東芝將繼續擴大其產品線並説明提高電源效率。

注:
[1]與上一代DTMOSIV-H系列相比
[2]截至2022年2月,東芝測量的數值(採用輸出功率為2500W的PFC電路時,TO-247封裝的新系列TK040N65Z與上一系列TK62N60X相比)

應用

工業設備開關電源

    資料中心 (伺服器電源等)

    光伏發電機功率調節器

    不斷電供應系統

特性

  •  “汲源極導通電阻×閘汲極電荷”的值 reduced by about 40 %[1] ,有助於提高開關電源的效率。
  • 直插式TO-220封裝

主要規格

(@Ta=25 °C)

器件型號

封裝

絕對最大額定值

電氣特性

上一代

(DTMOSIV-H)

器件型號

名稱

汲極-源極電壓

VDSS

(V)

汲極電流

(直流)

ID

(A)

汲極-源極導通電阻

RDS(ON)

最大值

 (Ω)

閘極電荷總量

Qg

典型值

(nC)

閘極-漏極電荷

Qgd

典型值

(nC)

Input

capacitance

Ciss

typ.

(pF)

@VGS=10 V

TK090E65Z

TO-220

650

30

0.09

47

12

2780

TK31E60X

TK110E65Z

24

0.11

40

11

2250

TK25E60X

TK155E65Z

18

0.155

29

8

1635

TK20E60W [3]

TK190E65Z

15

0.19

25

7.1

1370

TK16E60W [3]

注:
[3]DTMOSIV系列

內部電路

The illustration of internal circuits of lineup expansion of new generation super junction structure N-channel power MOSFET “DTMOSVI Series” that helps improve efficiency of power supplies : TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z, TK190E65Z.

應用電路示例

 The illustration of application circuit examples of lineup expansion of new generation super junction structure N-channel power MOSFET “DTMOSVI Series” that helps improve efficiency of power supplies : TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z, TK190E65Z.

注:
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。

本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊,在公告之日仍為最新資訊,如有變更,恕不另行通知。