東芝拓展新一代超接合面結構N通道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線，助於電源效率的提高
產品新聞2022年2月
東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝”)在其DTMOSVI系列新一代650 V超接合面結構N通道功率MOSFET中推出四款新產品——“TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z”，它們適用於資料中心、光伏發電機功率調節器等工業設備的開關電源。
產品線擴展了器件的封裝、汲源極導通電阻和閘汲極電荷。
與上一代DTMOSIV-H系列相比，新一代DTMOSVI系列“汲源極導通電阻×閘汲極電荷”的品質因數降低約40%[1]，關電源效率提高約0.36%[2]。
為滿足市場需求，東芝將繼續擴大其產品線並説明提高電源效率。
注：
[1]與上一代DTMOSIV-H系列相比
[2]截至2022年2月，東芝測量的數值（採用輸出功率為2500W的PFC電路時，TO-247封裝的新系列TK040N65Z與上一系列TK62N60X相比）
應用
工業設備開關電源
資料中心 (伺服器電源等)
光伏發電機功率調節器
不斷電供應系統
特性
- “汲源極導通電阻×閘汲極電荷”的值 reduced by about 40 %[1] ，有助於提高開關電源的效率。
- 直插式TO-220封裝
主要規格
(@Ta=25 °C)
器件型號 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
上一代 （DTMOSIV-H） 器件型號 |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
名稱 |
汲極-源極電壓 VDSS (V) |
汲極電流 （直流） ID (A) |
汲極-源極導通電阻 RDS(ON) 最大值 (Ω) |
閘極電荷總量 Qg 典型值 (nC) |
閘極-漏極電荷 Qgd 典型值 (nC) |
Input capacitance Ciss typ. (pF) |
||
@VGS=10 V |
||||||||
TO-220 |
650 |
30 |
0.09 |
47 |
12 |
2780 |
||
24 |
0.11 |
40 |
11 |
2250 |
||||
18 |
0.155 |
29 |
8 |
1635 |
TK20E60W [3] |
|||
15 |
0.19 |
25 |
7.1 |
1370 |
TK16E60W [3] |
|||
注：
[3]DTMOSIV系列
內部電路
應用電路示例
注：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。
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