電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSⅥシリーズ」のラインアップ拡充

製品情報 2022-02

これは、電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSⅥシリーズ」のラインアップ拡充 : TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z、TK190E65Zの製品写真です。

当社は、データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業用機器のスイッチング電源向けに展開中の、650 V耐圧の新世代スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズに「TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z、TK190E65Z」の4品種を追加し、パッケージとドレイン・ソース間オン抵抗、ゲート・ドレイン間電荷量でラインアップを拡充しました。

新世代DTMOSVIシリーズは、従来世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量」を約40 %低減[注1]しました。これにより、スイッチング電源の効率を約0.36 %[注2]向上させることが可能です。

当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップを拡充し、電源の高効率化に貢献します。

[注1] 従来世代DTMOSⅣ-Hシリーズと比べて
[注2] 2022年2月時点、当社実測値 (出力電力2500 W PFC回路でTO-247パッケージの新シリーズTK040N65ZとTO-247パッケージの従来シリーズTK62N60Xを比べた場合)

応用機器

産業用機器のスイッチング電源

  • データセンター (サーバーなど)
  • 太陽光発電パワーコンディショナー
  • 無停電電源装置

新製品の主な特長

  • ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量を約40 %低減[注1]しスイッチング電源の効率向上
  • リード挿入タイプのTO-220パッケージ

新製品の主な仕様

(@Ta=25 °C)

品番

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

従来シリーズ

(DTMOSIV-H)

品番

名称

ドレイン・ソース間

電圧

VDSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

ドレイン・ソース間

オン抵抗

RDS(ON)

max

 (Ω)

ゲート

入力

電荷量

Qg

typ.

(nC)

ゲート・ドレイン間

電荷量

Qgd

typ.

(nC)

入力容量

Ciss

typ.

(pF)

@VGS=10 V

TK090E65Z

TO-220

650

30

0.09

47

12

2780

TK31E60X

TK110E65Z

24

0.11

40

11

2250

TK25E60X

TK155E65Z

18

0.155

29

8

1635

TK20E60W[注3]

TK190E65Z

15

0.19

25

7.1

1370

TK16E60W[注3]

[注3] DTMOSⅣシリーズ

内部回路構成図

これは、電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSⅥシリーズ」のラインアップ拡充 : TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z、TK190E65Zの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSⅥシリーズ」のラインアップ拡充 : TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z、TK190E65Zの応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

 

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