電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSⅥシリーズ」のラインアップ拡充
製品情報 2022-02
当社は、データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業用機器のスイッチング電源向けに展開中の、650 V耐圧の新世代スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズに「TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z、TK190E65Z」の4品種を追加し、パッケージとドレイン･ソース間オン抵抗、ゲート･ドレイン間電荷量でラインアップを拡充しました。
新世代DTMOSVIシリーズは、従来世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、性能指数の「ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量」を約40 %低減[注1]しました。これにより、スイッチング電源の効率を約0.36 %[注2]向上させることが可能です。
当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップを拡充し、電源の高効率化に貢献します。
[注1] 従来世代DTMOSⅣ-Hシリーズと比べて
[注2] 2022年2月時点、当社実測値 (出力電力2500 W PFC回路でTO-247パッケージの新シリーズTK040N65ZとTO-247パッケージの従来シリーズTK62N60Xを比べた場合)
応用機器
産業用機器のスイッチング電源
- データセンター (サーバーなど)
- 太陽光発電パワーコンディショナー
- 無停電電源装置
新製品の主な特長
- ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量を約40 %低減[注1]しスイッチング電源の効率向上
- リード挿入タイプのTO-220パッケージ
新製品の主な仕様
(@Ta=25 °C)
品番 |
パッケージ |
絶対最大定格 |
電気的特性 |
従来シリーズ (DTMOSIV-H) 品番 |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
名称 |
ドレイン･ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
ドレイン･ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (Ω) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
ゲート･ドレイン間 電荷量 Qgd typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
||
@VGS=10 V |
||||||||
TO-220 |
650 |
30 |
0.09 |
47 |
12 |
2780 |
||
24 |
0.11 |
40 |
11 |
2250 |
||||
18 |
0.155 |
29 |
8 |
1635 |
TK20E60W[注3] |
|||
15 |
0.19 |
25 |
7.1 |
1370 |
TK16E60W[注3] |
|||
[注3] DTMOSⅣシリーズ
内部回路構成図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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