擴大有助於提升電源效率的600 V Super Junction N通道MOSFET產品線
產品新聞2024年7月
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（ “東芝” ）擴大了600 V N通道功率MOSFET “DTMOSVI系列”的產品線，該系列產品採用東芝最新一代製程[1]製造，採用Super Junction結構。這些新產品適用於資料中心所使用的高效能電源和太陽能變頻器中的功率調節器。此產品線具有多樣的封裝和RDS(on)，包含「 TK40N60Z1 、 TK080N60Z1 、 TK080A60Z1 、 TK085V60Z1 、TK125N60Z1、 TK125A60Z1 、 TK130V60Z1、 TK155A60Z1和TK165V60Z1等產品。
藉由優化閘極設計和工藝， 600 V DTMOSVI系列產品與東芝當前一代具有相同VDS額定電壓的DTMOSIV-H系列產品相比，每一個單位面積的RDS(on)約降低了13% ，RDS(on)×Qgd（ 評估MOSFET的效能因數）降低了約52% 。這意味著新產品比現有產品實現更好的導通損耗和開關損耗之間的權衡性。 DTMOSVI系列的新產品將有助於提高電源效率。
東芝也提供支援開關電源電路設計的工具。除了可在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供更精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝將繼續擴大其DTMOSVI系列產品線，讓客戶可以降低開關電源的功耗來達成節能需求。
註：
[ 1]截止於2024年7月31日
應用
- 開關電源（資料中心伺服器等）
- 太陽能變頻器中的功率調節器
- 不斷電系統
特性
- 實現了低的R DS(ON) × Q gd ，並且實現了高效能開關電源
主要規格
(Ta=25°C)
| 型號 | 封裝 | VDSS (V) |
(DC) ID (A) |
RDS(ON) (Ω) |
Qg (nC) |
Qgd (nC) |
Ciss (pF) |
東芝現有產品系列 （ DTMOSIV ） 型號 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=10V | ||||||||
| 最大值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||
| TK040N60Z1 | TO-247 | 600 | 52 | 0.040 | 85 | 22 | 5200 | TK62N60X TK62N60W |
| TK080N60Z1 | TO-247 | 30 | 0.080 | 43 | 12 | 2510 | TK31N60X TK31N60W |
|
| TK080A60Z1 | TO-220SIS | TK31A60W | ||||||
| TK085V60Z1 | DFN8×8 | 0.085 | TK31V60X TK31V60W |
|||||
| TK125N60Z1 | TO-247 | 20 | 0.125 | 28 | 8 | 1620 | TK25N60X TK20N60W |
|
| TK125A60Z1 | TO-220SIS | TK25A60X | ||||||
| TK130V60Z1 | DFN8×8 | 18 | 0.130 | TK25V60X | ||||
| TK155A60Z1 | TO-220SIS | 17 | 0.155 | 24 | 7 | 1350 | TK20A60W | |
| TK165V60Z1 | DFN8×8 | 16 | 0.165 | TK20V60W |
內部電路
應用電路範例
本文所示應用電路僅供參考。
特別是在量產設計階段，需要進行全面評估。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。
特性曲線[2]
註：
[ 2]東芝測量值。
*本文提及的公司名稱，產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本文中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊，在公告之日仍為最新信息，如有變更，恕不另行通知。