電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充

製品情報 2024-07

これは、電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充の製品写真です。

当社は、データセンター向け高効率スイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、スーパージャンクション構造の当社最新世代プロセス[注1]を採用した600V耐圧NチャネルパワーMOSFET「DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズ」のラインアップを拡充しました。ドレイン・ソース間オン抵抗とパッケージのラインアップ展開として、「TK40N60Z1、TK080N60Z1、TK080A60Z1、TK085V60Z1、TK125N60Z1、TK125A60Z1、TK130V60Z1、TK155A60Z1、TK165V60Z1」の9品種を追加します。

600V耐圧のDTMOSVIシリーズは、ゲートデザインおよびプロセスの最適化により、同耐圧の当社従来世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約13%低減し、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量」を約52%低減しています。これにより、DTMOSVIシリーズは、低導通損失および低スイッチング損失の両立を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。

回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加えて、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。

当社は、今後も「DTMOSVIシリーズ」のラインアップを拡充します。これにより、スイッチング電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。

[注1] 2024年7月31日現在。

応用機器

  • スイッチング電源 (データセンターのサーバー用など)
  • 太陽光発電パワーコンディショナー
  • 無停電電源装置

新製品の主な特長

  • 低RDS(ON) × Qgd (ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量) を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能

新製品の主な仕様

(Ta=25°C)

品番 パッケージ ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
ドレイン・
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
(Ω)
ゲート入力
電荷量
Qg
(nC)
ゲート・
ドレイン間
電荷量
Qgd
(nC)
入力
容量
Ciss
(pF)
当社従来シリーズ
(DTMOSIV)
品番
VGS=10V
Max Typ. Typ. Typ.
TK040N60Z1 TO-247 600 52 0.040 85 22 5200 TK62N60X
TK62N60W
TK080N60Z1 TO-247 30 0.080 43 12 2510 TK31N60X
TK31N60W
TK080A60Z1 TO-220SIS TK31A60W
TK085V60Z1 DFN8×8 0.085 TK31V60X
TK31V60W
TK125N60Z1 TO-247 20 0.125 28 8 1620 TK25N60X
TK20N60W
TK125A60Z1 TO-220SIS TK25A60X
TK130V60Z1 DFN8×8 18 0.130 TK25V60X
TK155A60Z1 TO-220SIS 17 0.155 24 7 1350 TK20A60W
TK165V60Z1 DFN8×8 16 0.165 TK20V60W

内部回路構成図

これは、電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充の内部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充の応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

特性図[注2]

これは、電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充の特性図です。

[注2] 当社実測値。

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