電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充
製品情報 2024-07
当社は、データセンター向け高効率スイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、スーパージャンクション構造の当社最新世代プロセス[注1]を採用した600V耐圧NチャネルパワーMOSFET「DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズ」のラインアップを拡充しました。ドレイン・ソース間オン抵抗とパッケージのラインアップ展開として、「TK40N60Z1、TK080N60Z1、TK080A60Z1、TK085V60Z1、TK125N60Z1、TK125A60Z1、TK130V60Z1、TK155A60Z1、TK165V60Z1」の9品種を追加します。
600V耐圧のDTMOSVIシリーズは、ゲートデザインおよびプロセスの最適化により、同耐圧の当社従来世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約13%低減し、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量」を約52%低減しています。これにより、DTMOSVIシリーズは、低導通損失および低スイッチング損失の両立を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。
回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加えて、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。
当社は、今後も「DTMOSVIシリーズ」のラインアップを拡充します。これにより、スイッチング電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。
[注1] 2024年7月31日現在。
応用機器
- スイッチング電源 (データセンターのサーバー用など)
- 太陽光発電パワーコンディショナー
- 無停電電源装置
新製品の主な特長
- 低RDS(ON) × Qgd (ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量) を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能
新製品の主な仕様
(Ta=25°C)
| 品番 | パッケージ | ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) (Ω) |
ゲート入力 電荷量 Qg (nC) |
ゲート･ ドレイン間 電荷量 Qgd (nC) |
入力 容量 Ciss (pF) |
当社従来シリーズ (DTMOSIV) 品番 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS=10V | ||||||||
| Max | Typ. | Typ. | Typ. | |||||
| TK040N60Z1 | TO-247 | 600 | 52 | 0.040 | 85 | 22 | 5200 | TK62N60X TK62N60W |
| TK080N60Z1 | TO-247 | 30 | 0.080 | 43 | 12 | 2510 | TK31N60X TK31N60W |
|
| TK080A60Z1 | TO-220SIS | TK31A60W | ||||||
| TK085V60Z1 | DFN8×8 | 0.085 | TK31V60X TK31V60W |
|||||
| TK125N60Z1 | TO-247 | 20 | 0.125 | 28 | 8 | 1620 | TK25N60X TK20N60W |
|
| TK125A60Z1 | TO-220SIS | TK25A60X | ||||||
| TK130V60Z1 | DFN8×8 | 18 | 0.130 | TK25V60X | ||||
| TK155A60Z1 | TO-220SIS | 17 | 0.155 | 24 | 7 | 1350 | TK20A60W | |
| TK165V60Z1 | DFN8×8 | 16 | 0.165 | TK20V60W |
内部回路構成図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
特性図[注2]
[注2] 当社実測値。
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