Toshiba 擴大 -40V/-60V 車用 P 通道功率 MOSFET 產品陣容,確保車用設備穩定運行

產品新聞 2024年8月

The package photograph of lineup expansion of -40V/-60V automotive p-channel power MOSFETs for stable operation of automotive equipment.

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)已開始量產兩款採用 TSON Advance( WF)封裝的車用 P 通道功率 MOSFET,並擴大了產品陣容。
本產品為-40V“XPN19014MC”和-60V“XPN27016MC”。

“XPN19014MC”和“XPN27016MC”符合汽車可靠性標準AEC-Q101。
此封裝為表面黏著型 TSON Advance( WF),採用可潤濕側翼端子結構,方便自動板載目視檢查。此外,透過採用Cu連接結構,降低了封裝電阻。
汲源導通電阻測量條件為-4.5V,即使在電池電壓下降期間也能穩定運作。此外,閘極閾值電壓寬度為1.1V,這減少了汲極電流變化,並且在並聯使用時易於控制。

應用領域

  • 車用設備:負載開關、半導體繼電器、馬達驅動器等。

特徵

  • 符合 AEC-Q101 標準
  • 低導通電阻
    XPN19014 MC: R DS(ON) =18.7mΩ(最大值)(V GS =-10V)
    XPN27016MC:R DS(ON) =27.3mΩ(最大值)(V GS =-10V)
  • TSON Advance ( WF) 封裝具有可潤濕側翼端子結構,可輕鬆實現自動化板載目視檢查

主要規格

(Ta=25°C , 除非另有說明)

料號

XPN19014MC

XPN27016MC

極性

P通道

絕對

最大限度率

汲源電壓 VDSS (V)

-40

-60

汲極電流 (DC) I(A)

-20

-25

汲極電流(脈衝) IDP (A)

-60

-50

通道溫度 Tch (°C)

175

電氣特性

汲極-源極

導通電阻

RDS(ON) (mΩ)

VGS=-4.5V

最大值

29.2

36.0

VGS=-10V

最大值

18.7

27.3

閘極閾值電壓

Vth (V)

VDS=-10V

-1.0至 -2.1

熱的

特徵

通道到外殼

熱阻

Zth(ch-c) (°C/W)

溫度=25°C

最大值

2.3

1.5

包裝

TSON Advance(WF)

製程

U-MOSVI

內部電路

The illustration of internal circuit of lineup expansion of -40V/-60V automotive p-channel power MOSFETs for stable operation of automotive equipment.

應用電路範例

The illustration of application circuit example of lineup expansion of -40V/-60V automotive p-channel power MOSFETs for stable operation of automotive equipment.

註:
本文檔中所示的應用電路僅供參考。
需要徹底的評估,特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。

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