東芝新推出的1200V和1700V碳化矽MOSFET模組幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備
2022年1月26日
東芝電子元件及存儲裝置股份有限公司
日本川崎—東芝電子元件及存儲裝置股份有限公司（“東芝”）已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的 MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的 MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的陣容。
新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉換器和逆變器，以及可再生能源發電系統。
應用
- 軌道車輛的逆變器和轉換器
- 可再生能源發電系統
- 馬達控制設備
- 高頻DC-DC轉換器
特性
- 安裝方式相容Si IGBT模組
- 損耗低於Si IGBT模組
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V (典型值) @ID=600A, Tch=25°C
Eon=25mJ (典型值), Eoff=28mJ (典型值) @VDS=600V, ID=600A, Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V (典型值) @ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ (典型值), Eoff=27mJ (典型值) @VDS=900V, ID=400A, Tch=150°C - 內建NTC熱敏電阻
主要規格
(除非另有規定，否則 @Tc=25°C)
組件編號 |
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|---|---|---|---|---|
封裝 |
2-153A1A |
|||
絕對 最大 額定值 |
漏級-源級電壓 VDSS (V) |
1200 |
1700 |
|
閘級-源級電壓 VGSS (V) |
+25/-10 |
+25/-10 |
||
漏極電流 (DC) ID (A) |
600 |
400 |
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漏極電流 (脈衝) IDP (A) |
1200 |
800 |
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溝道溫度 Tch (°C) |
150 |
150 |
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隔離電壓 Visol (Vrms) |
4000 |
4000 |
||
電氣 特性 |
漏級-源級導通電壓（感應） VDS(on)sense 典型值 (V) |
@VGS =+20V, Tch＝25°C |
0.9 @ID＝600A |
0.8 @ID＝400A |
源級-漏級導通電壓（感應） VSD(on)sense 典型值 (V) |
@VGS =+20V, Tch＝25°C |
0.8 @IS＝600A |
0.8 @IS＝400A |
|
源級-漏級關斷電壓（感應） VSD(off)sense 典型值 (V) |
@VGS =-6V, Tch＝25°C |
1.6 @IS＝600A |
1.6 @IS＝400A |
|
開通損耗 Eon 典型值 (mJ) Eon 典型值 (mJ) |
@Tch=150°C |
25 @ VDS=600V, ID=600A |
28 @VDS=900V, ID=400A |
|
關斷損耗 Eoff 典型值 (mJ) Eoff 典型值 (mJ) |
@Tch=150°C |
28 @ VDS=600V, ID=600A |
27 @VDS=900V, ID=400A |
|
熱敏電阻特性 |
額定NTC電阻R典型值 (kΩ) |
5.0 |
5.0 |
|
NTC B值 B典型值 (K) |
＠TNTC=25 - 150°C |
3375 |
3375 |
|
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