産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールの発売について
2022年1月26日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、産業用機器向けにシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2品種、耐圧1200V、ドレイン電流定格600Aの「MG600Q2YMS3」と、耐圧1700V、ドレイン電流定格400Aの「MG400V2YMS3」を製品化し、量産を開始しました。
新製品MG600Q2YMS3とMG400V2YMS3は、当社初の1200V、1700V耐圧の SiC MOSFETモジュールで、先行リリースしたMG800FXF2YMS3と合わせて、耐圧1200V/1700V/3300Vのラインアップとなります。また、一般的なシリコン (Si) IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換があります。さらに、一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、鉄道車両向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。
応用機器
- 鉄道車両向けインバーター・コンバーター
- 再生可能エネルギー発電システム
- モーター制御機器
- 高周波絶縁DC-DCコンバーター
新製品の主な特長
- 一般的なSi IGBTモジュールと取り付け互換のあるパッケージ
- 一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V (typ.) @ID=600A、Tch=25°C
Eon=25mJ (typ.)、Eoff=28mJ (typ.) @VDS=600V、ID=600A、Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V (typ.) @ID=400A、Tch=25°C
Eon=28mJ (typ.)、Eoff=27mJ (typ.) @VDS=900V、ID=400A、Tch=150°C - サーミスター内蔵
新製品の主な仕様
（特に指定のない限り、@TC=25°C)
品番 |
||||
|---|---|---|---|---|
東芝パッケージ名称 |
2-153A1A |
|||
絶対 最大定格 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
1200 |
1700 |
|
ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) |
+25/－10 |
+25/－10 |
||
ドレイン電流 (DC) ID (A) |
600 |
400 |
||
ドレイン電流 (パルス) IDP (A) |
1200 |
800 |
||
チャネル温度 Tch (°C) |
150 |
150 |
||
絶縁耐圧 Visol (Vrms) |
4000 |
4000 |
||
電気的 特性 |
ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) VDS(on)sense typ. (V) |
@VGS =+20 V、 Tch＝25°C |
0.9 @ID＝600A |
0.8 @ID＝400A |
ソース・ドレイン間オン電圧 (センス端子) VSD(on)sense typ. (V) |
@VGS =+20 V、 Tch＝25°C |
0.8 @IS＝600A |
0.8 @IS＝400A |
|
ソース・ドレイン間オフ電圧 (センス端子) VSD(off)sense typ. (V) |
@VGS =－6 V、 Tch＝25°C |
1.6 @IS＝600A |
1.6 @IS＝400A |
|
ターンオンスイッチング損失 Eon typ. (mJ) |
@Tch=150°C |
25 @ VDS=600V、 ID=600A |
28 @VDS=900V、 ID=400A |
|
ターンオフスイッチング損失 Eoff typ. (mJ) |
@Tch=150°C |
28 @ VDS=600V、 ID=600A |
27 @VDS=900V、 ID=400A |
|
サーミスター 特性 |
サーミスター定格抵抗 R typ. (kΩ) |
5.0 |
5.0 |
|
サーミスターB定数 B typ. (K) |
＠TNTC=25~150°C |
3375 |
3375 |
|
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。