産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールの発売について

2022年1月26日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールの発売について

当社は、産業用機器向けにシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2品種、耐圧1200V、ドレイン電流定格600Aの「MG600Q2YMS3」と、耐圧1700V、ドレイン電流定格400Aの「MG400V2YMS3」を製品化し、量産を開始しました。

新製品MG600Q2YMS3とMG400V2YMS3は、当社初の1200V、1700V耐圧の SiC MOSFETモジュールで、先行リリースしたMG800FXF2YMS3と合わせて、耐圧1200V/1700V/3300Vのラインアップとなります。また、一般的なシリコン (Si) IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換があります。さらに、一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、鉄道車両向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

応用機器

  • 鉄道車両向けインバーター・コンバーター
  • 再生可能エネルギー発電システム
  • モーター制御機器
  • 高周波絶縁DC-DCコンバーター

新製品の主な特長

  • 一般的なSi IGBTモジュールと取り付け互換のあるパッケージ
  • 一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現
    MG600Q2YMS3
     VDS(on)sense =0.9V (typ.) @ID=600A、Tch=25°C
     Eon=25mJ (typ.)、Eoff=28mJ (typ.) @VDS=600V、ID=600A、Tch=150°C
    MG400V2YMS3
     VDS(on)sense=0.8V (typ.) @ID=400A、Tch=25°C
     Eon=28mJ (typ.)、Eoff=27mJ (typ.) @VDS=900V、ID=400A、Tch=150°C
  • サーミスター内蔵

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@TC=25°C)

品番

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

東芝パッケージ名称

2-153A1A

絶対

最大定格

ドレイン・ソース間電圧  VDSS  (V)

1200

1700

ゲート・ソース間電圧  VGSS  (V)

+25/10

+25/10

ドレイン電流 (DC)  ID  (A)

600

400

ドレイン電流 (パルス)  IDP  (A)

1200

800

チャネル温度  Tch  (°C)

150

150

絶縁耐圧 Visol (Vrms)

4000

4000

電気的

特性

ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子)

VDS(on)sense  typ.  (V)

@VGS =+20 V、

Tch=25°C

0.9

@ID=600A

0.8

@ID=400A

ソース・ドレイン間オン電圧 (センス端子)

VSD(on)sense  typ.  (V)

@VGS =+20 V、

Tch=25°C

0.8

@IS=600A

0.8

@IS=400A

ソース・ドレイン間オフ電圧 (センス端子)

VSD(off)sense  typ.  (V)

@VGS =-6 V、

Tch=25°C

1.6

@IS=600A

1.6

@IS=400A

ターンオンスイッチング損失

Eon  typ.  (mJ)

@Tch=150°C

25

@ VDS=600V、

 ID=600A

28

@VDS=900V、

 ID=400A

ターンオフスイッチング損失 

Eoff  typ.  (mJ)

@Tch=150°C

28

@ VDS=600V、

ID=600A

27

@VDS=900V、

 ID=400A

サーミスター

特性

サーミスター定格抵抗  R  typ.  (kΩ)

5.0

5.0

サーミスターB定数  B  typ.  (K)

@TNTC=25~150°C

3375

3375

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3

当社のSiCパワーデバイスについては下記ページをご覧ください。

SiCパワーデバイス

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