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東芝發布新型MOSFET閘極驅動積體電路,有助於縮小元件尺寸

- TCK42xG系列支援外部N溝道MOSFET背對背連接 -

2022年2月9日

東芝電子元件及存儲裝置股份有限公司

Toshiba Releases New MOSFET Gate Driver IC that Will Help to Reduce Device Footprints

日本川崎—東芝電子元件及存儲裝置股份有限公司(“東芝”) 已經推出針對20V電源線路的TCK421G,這是其「TCK42xG系列」MOSFET閘極驅動積體電路(IC)的首款產品。該系列的元件採用輸入電壓專用於控制外部N溝道MOSFET的閘極電壓,並具備過壓鎖定功能。量產出貨即日起開始。

透過聯合背對背連接的外部N溝道MOSFET,TCK421G適用於配置電源多工器電路或配備反向電流阻斷功能的負載開關電路。它嵌入一個電荷泵電路,支援2.7V至28V的寬電壓輸入範圍,並透過間歇式工作模式向外部MOSFET的閘源級電壓提供穩定的電壓,從而實現大電流的通斷。

TCK421G採用WCSP6G[1]封裝,這是業界超小型封裝之一[2],實現了在穿戴裝置和智慧手機等小型設備中的高密度安裝,有助於減少設備的尺寸。

東芝將繼續開發TCK42xG系列,並計畫推出總共六個版本。TCK42xG系列的過壓鎖定功能將支援5V至24V的輸入電壓。該產品將支援5.6V和10V兩種類型的閘極輸出電壓,用於匹配外部MOSFET的不同電壓。過壓鎖定電壓和閘極輸出電壓均可根據使用者的設備需求選擇。

注:
[1] 1.2mm x 0.8mm
[2] MOSFET閘極驅動積體電路。東芝調查,截至2022年2月。

應用

  • 穿戴裝置
  • 智慧手機
  • 筆記型電腦、平板電腦
  • 儲存設備等

新系列特點

  • 閘源電壓設定(5.6V,10V)取決於含內建電荷泵電路的輸入電壓
  • 過壓鎖定支援5V至24V
  • 低輸入關斷電流IQ(OFF)= 0.5μA(最大值)@VIN=5V,Ta= -40 至85°C

主要規格

(除非另有約定,否則Ta=25°C)

組件編號

TCK421G

封裝

名稱

WCSP6G

尺寸 (mm)

1.2×0.8 (典型值)、

t=0.35 (最大值)

工作

範圍

輸入電壓 VIN  (V)

@Ta= -40 至 85°C

2.7 至 28

電氣

特性

VIN UVLO 閾值, Vout 下降

VIN_UVLO  典型值/最大值  (V)

@Ta= -40 至 85°C for VIN_UVLO max

2.0/2.5

VIN UVLO 滯後  VIN_UVhyst

典型值  (V)

0.2

VIN OVLO 閾值, Vout 下降

VIN_OVLO  最小值/最大值  (V)

@Ta= -40 至 85°C

22.34/24.05

VIN OVLO 滯後

VIN_OVhyst  典型值  (V)

0.12

輸入靜態電流

(通態) [3]

IQ(ON)  典型值  (μA)

@VIN=5V

140

@VIN=12V

185

待機電流

(關斷)

IQ(OFF)  最大值  (μA)

@VIN=5V, Ta= -40 至 85°C

0.5

@VIN=12V, Ta= -40 至 85°C

0.9

閘極驅動電壓

(VGATE1-VIN)

(VGATE2-VIN)

VGS  最小值/典型值/最大值

(V)

@VIN=2.7V

8/9.2/10

@VIN=5V

9/10/11

@VIN=9V

9/10/11

@VIN=12V

9/10/11

@VIN=20V

9/10/11

VGS 導通時間

tON 典型值  (ms)

@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF

2.9

VGS 關斷時間

tOFF  典型值  (μs)

VIN=5V, @CGATE1,2=4000pF

52

OVLO VGS 關斷時間

tOVP 典型值  (μs)

@CGATE1,2=4000pF

34

樣品查詢和庫存狀況

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注:
[3] 不含控制端電流(ICT)。

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