実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICの新製品発売について
2022年2月9日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、ウエアラブル端末など向けに、入力電圧に応じて外付けMOSFETのゲート電圧をコントロールする、過電圧防止機能を持ったMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xGシリーズ」の販売を開始します。シリーズ第一弾として20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を本日から開始します。
新製品TCK421Gは、バック・トゥ・バック接続の外付けNチャネルMOSFETと組み合わせて、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路やパワーマルチプレクサー回路を構成するのに適しています。また、2.7Vから28Vの幅広い入力電圧に応じたチャージポンプ回路を内蔵し、間欠動作で外付けMOSFETのゲート・ソース間に安定電圧を供給します。これにより、大きな電流のスイッチングが可能です。
パッケージは、業界最小クラス[注1]のWCSP6G[注2]を採用し、ウエアラブル端末、スマートフォンなどの小型機器に高密度実装が可能で、実装面積の削減に貢献します。
当社は今後もTCK42xGシリーズの開発を継続し、全6品種をシリーズに投入する予定です。TCK42xGシリーズでは、過電圧保護5Vから24Vの入力電圧に対応する予定です。ゲート出力電圧は外付けMOSFEETのゲート・ソース間電圧に応じて5.6Vと10Vの2種類を用意します。応用機器に合わせて過電圧保護機能、ゲート出力電圧の選択が可能になります。
[注1] MOSFETゲートドライバーICにおいて。2022年2月現在、当社調べ。
[注2] 1.2mm x 0.8mmのチップスケールパッケージ
応用機器
- ウエアラブル端末
- スマートフォン
- ノートブックPC、タブレットデバイス
- ストレージ機器など
新シリーズの主な特長
- チャージポンプ回路を内蔵し入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定(5.6V、10V)
- 過電圧保護は5V～24Vに対応
- 低入力オフ電流 : IQ(OFF)= 0.5μA (max) @VIN=5V、Ta= －40～85°C
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番 |
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|---|---|---|---|
パッケージ |
名称 |
WCSP6G |
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サイズ (mm) |
1.2×0.8 (typ.)、 t=0.35 (max) |
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動作範囲 |
入力動作電圧 VIN (V) |
@Ta= －40～85°C |
2.7～28 |
電気的特性 |
入力低電圧誤動作防止(UVLO) しきい値電圧 VOUT下降時 VIN_UVLO typ./max (V) |
maxは@Ta= －40～85°C |
2.0/2.5 |
入力低電圧誤動作防止(UVLO) ヒステリシス電圧 VIN_UVhyst typ. (V) |
– |
0.2 |
|
入力過電圧検出(OVLO) しきい値電圧 VOUT下降時 VIN_OVLO min/max (V) |
@Ta= －40～85°C |
22.34/24.05 |
|
入力過電圧検出(OVLO) ヒステリシス電圧 VIN_OVhyst typ. (V) |
– |
0.12 |
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消費電流 (オン状態)[注３] IQ(ON) typ. (μA) |
@VIN=5V |
140 |
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@VIN=12V |
185 |
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スタンバイ電流 (オフ状態) IQ(OFF) max (μA) |
@VIN=5V、 Ta= －40～85°C |
0.5 |
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@VIN=12V、 Ta= －40～85°C |
0.9 |
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ゲートドライブ電圧 (VGATE1-VIN) (VGATE2-VIN) VGS min/typ./max (V) |
@VIN=2.7V |
8/9.2/10 |
|
@VIN=5V |
9/10/11 |
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@VIN=9V |
9/10/11 |
||
@VIN=12V |
9/10/11 |
||
@VIN=20V |
9/10/11 |
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VGSオン時間 tON typ. (ms) |
@VIN=5V、 CGATE1,2=4000pF |
2.9 |
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VGSオフ時間 tOFF typ. (μs) |
@VIN=5V、 CGATE1,2=4000pF |
52 |
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入力過電圧検出(OVLO) VGSオフ時間 tOVP typ. (μs) |
@CGATE1,2=4000pF |
34 |
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在庫検索 ＆ Web少量購入 |
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[注３] コントロール端子電流 (ICT) は含まれていません。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel: 044-548-2215
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