Toshiba推出採用最新一代製程技術[1]的100V N溝道功率MOSFET，以提升工業裝置開關電源效率
2025年9月25日
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
日本川崎--(東芝電子元件及儲存裝置株式會社 ("Toshiba")推出了「TPH2R70AR5」——一款採用Toshiba最新一代製程U-MOS11-H[1]製造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標應用包括資料中心和通訊基地台所用工業裝置的開關電源。產品出貨自即日起開始。
100V U-MOS11-H系列在Toshiba現有U-MOSX-H系列製程的基礎上，改進了漏源導通電阻(RDS(ON))、總閘極電荷(Qg)及二者的權衡特性(RDS(ON) × Qg)，從而降低了傳導損耗和開關損耗。
相較U-MOSX-H系列產品TPH3R10AQM，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低約8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。透過應用壽命控制技術[2]，該產品還實現了高速體二極體效能，減少了反向恢復電荷(Qrr)並抑制了尖峰電壓。Qrr改善約38%，RDS(ON) × Qrr也改善約43%。這些業界領先的[3]權衡特性[4]（RDS(ON) × Qg和RDS(ON) × Qrr）將功率損耗降至最低，有助於提升電源系統的效率和功率密度。此外，它採用SOP Advance (N)封裝，與產業標準具有出色的安裝相容性。
Toshiba還提供電路設計支援工具：可快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，以及能精確再現瞬態特性的高精確度G2 SPICE模型。所有工具現已全面可用。
Toshiba將繼續擴充低損耗MOSFET產品線，協助打造更高效率的電源，為降低裝置功耗貢獻力量。
註：
[1] 截至2025年9月，Toshiba的低壓功率MOSFET製程技術之一。Toshiba調查。
[2] 壽命控制技術：透過鉑擴散製程在半導體中引入缺陷，有意縮短載流子壽命，從而提高開關速度，改善二極體的恢復速度並降低雜訊。
[3] 截至2025年9月，相較其他用於工業裝置的100V N溝道功率MOSFET。Toshiba調查。
[4] RDS(ON)×Qg : 120mΩ・nC（典型值），RDS(ON) ・Qrr : 127mΩ×nC（典型值）
應用
- 資料中心和通訊基地台所用工業裝置的電源
- 開關電源（高效DC-DC轉換器等）
特性
- 低漏源導通電阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）(VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)
- 低總閘極電荷：Qg=52nC（典型值）(VDD=50V, VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)
- 低反向恢復電荷：Qrr=55nC（典型值）(IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta＝25°C)
主要規格
(除非另有說明，否則 Ta=25°C)
| 零件編號 | TPH2R70AR5 | |||
|---|---|---|---|---|
| 絕對 最大 額定值 |
漏源電壓 VDSS (V) | 100 | ||
| 漏極電流(直流) ID (A) | Tc=25°C | 190 | ||
| 溝道溫度 Tch (°C) | 175 | |||
| 電氣 特性 |
漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=10V, ID=50A | 最大值 | 2.7 |
| VGS=8V, ID=50A | 最大值 | 3.6 | ||
| 總閘極電荷 Qg (nC) | VDD=50V, VGS=10V, ID=50A | 典型值 | 52 | |
| 閘極開關電荷 Qsw (nC) | 典型值 | 17 | ||
| 輸出電荷 Qoss (nC) | VDD=50V, VGS=0V, f=1MHz | 典型值 | 106 | |
| 輸入電容 Ciss (pF) | VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz | 典型值 | 4105 | |
| 反向恢復電荷 Qrr (nC) | IDR=50A, VGS=0V, -dIDR/dt=100A/μs |
典型值 | 55 | |
| 封裝 | 名稱 | SOP Advance(N) | ||
| 尺寸 (mm) | 典型值 | 5.15×6.1 | ||
| 樣品檢查及供應情況 |  |
|||
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