産業機器の高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス[注1]採用の100V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について

2025年9月25日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

これは、産業機器の高効率化に貢献する、最新世代プロセス採用の100V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売についての画像です。

当社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用スイッチング電源向けに、当社最新世代プロセス[注1]「U-MOS11-H (ユー・モス・イレブン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH2R70AR5」を製品化し、本日から出荷を開始します。

100V系U-MOS11-Hシリーズは、当社従来世代プロセスU-MOSX-Hシリーズ に対し、ドレイン・ソース間のオン抵抗 (RDS(ON)) ならびにゲート入力電荷量 (Qg) とそのトレードオフ (RDS(ON)×Qg) を改善し、導通時とスイッチング時の両方の電力損失を低減しています。

新製品のTPH2R70AR5は、U-MOSX-HシリーズのTPH3R10AQMに対し、RDS(ON)を約8%、Qgを約37%、RDS(ON)×Qgを約42%改善しています。
また、TPH2R70AR5はライフタイム制御技術[注2]の適用によりボディーダイオードを高速化することで、逆回復電荷量 (Qrr) およびスパイク電圧を低減しました。U-MOSX-HシリーズのTPH3R10AQMに対し、Qrrを約38%、RDS(ON)×Qrrを約43%改善しています。
これら業界トップクラス[注3]のRDS(ON)×Qg、RDS(ON)×Qrrトレードオフ特性[注4]により、低損失を実現し、電源の高効率化、高電力密度化に貢献します。
なお、パッケージには、業界での実装互換を重視したSOP Advance(N)を採用しました。

回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるG0モデルのSPICEモデルに加えて、過渡特性の精度を高めたG2モデルのSPICEモデルも提供します。

当社は今後も、電源の効率を高めることができる低損失のMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献していきます。

[注1] 2025年9月時点、当社の低耐圧パワーMOSFET向けプロセスにおいて。当社調べ。
[注2] イオンビームを利用して半導体内部に意図的に欠陥を生成し、キャリアーライフタイムを短縮することで、デバイスのスイッチング速度を高速化します。これにより、ダイオードのリカバリー速度が向上し、ノイズが低減されます。
[注3] 2025年9月時点、産業機器向け100V耐圧NチャネルパワーMOSFETにおいて。当社調べ。
[注4] RDS(ON)×Qg:120mΩ・nC (typ)、RDS(ON)×Qrr:127mΩ・nC (typ) 

応用機器

  • データセンターや通信基地局などの産業機器用電源
  • 高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源

新製品の主な特長

  • 低いドレイン・ソース間オン抵抗 : RDS(ON)=2.7mΩ (max) (VGS=10V、ID=50A、Ta=25°C)
  • 低いゲート入力電荷量 : Qg=52nC (typ.) (VDD=50V、VGS=10V、ID=50A、Ta=25°C)
  • 低い逆回復電荷量 : Qrr=55nC (typ.) (IDR=50A、VGS=0V、-dIDR/dt=100A/μs、Ta=25°C)

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番 TPH2R70AR5
絶対最大定格 ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) 100
ドレイン電流 (DC) ID (A) Tc=25°C 190
チャネル温度 Tch (°C) 175
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) VGS=10V、ID=50A Max 2.7
VGS=8V、ID=50A Max 3.6
ゲート入力電荷量 Qg (nC) VDD=50V、VGS=10V、ID=50A Typ. 52
ゲートスイッチ電荷量 Qsw (nC) Typ. 17
出力電荷量 Qoss (nC) VDD=50V、VGS=0V、f=1MHz Typ. 106
入力容量 Ciss (pF) VDS=50V、VGS=0V、f=1MHz Typ. 4105
逆回復電荷量 Qrr (nC) IDR=50A、VGS=0V、
-dIDR/dt=100A/μs
Typ. 55
パッケージ 名称 SOP Advance(N)
サイズ (mm) Typ. 5.15×6.1
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPH2R70AR5

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MOSFET

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G2モデル

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TPH2R70AR5
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