Toshiba推出適用於工業設備48V電源線保護的小型80V電子保險絲(eFuse IC)

– 保護功能有助提升電路安全性;業界最小[1] 小型封裝有助節省電路板空間 –

2026年8月20日

東芝電子元件及儲存裝置株式會社

Toshiba Launches Small 80V Electronic Fuse (eFuse IC) Suitable for 48V Power Line Protection in Industrial Equipment

日本川崎--(東芝電子元件及儲存裝置株式會社 ("Toshiba")已在其內建多種電源線保護功能的eFuse IC產品陣容中,新增額定電壓80V的電子保險絲(eFuse IC)「TCKE1401NM」。本日起開始出貨。

新產品採用VQFN24D封裝,此為業界額定電壓80V eFuse IC中最小型[1]的封裝,有助於提升工業設備電源線保護電路的安全性,並縮小PCB尺寸。

隨著對更高輸出功率及更高效率的需求帶動,伺服器、網路設備、工廠自動化設備、機器人及其他工業設備正加速採用48V電源系統。此一轉變要求電源線保護電路具備高耐壓特性及多種保護功能。

eFuse IC是一種半導體保險絲,可保護下游電路免受異常電流、異常電壓及其他故障條件的影響。除了傳統實體保險絲[2]所提供的短路保護之外,它還將多種保護功能——包括過電流保護、過電壓保護、反向電流阻斷、輸入反極性保護及熱關斷——整合至單一晶片中,從而實現功能更強大且更為精巧的電源線保護電路。

TCKE1401NM具備80V額定電壓,支援4.7V至75V的寬廣工作電壓範圍。其高耐壓特性使其可用於24V、48V及54V系統的電源線保護。此外,44.5mΩ(典型值)的低導通電阻(RON)有助於降低工作期間的功率損耗,進而提升設備效率。採用4.0×4.0mm(典型值)的VQFN24D封裝,有助於縮小PCB尺寸。

該eFuse IC的主要保護功能包括:在發生過電流時控制輸出電流的電流限制功能,以及在發生過電壓時關閉輸出的輸出關斷功能。這兩項功能的動作閾值均可透過外部電阻進行設定。此外,它還具備真正的反向電流阻斷及反向連接保護功能,這些功能使用外部MOSFET,可同時保護IC本身及下游電路。

新款eFuse IC亦配備FLAG功能[3],可將異常狀況通知外部電路;電源良好功能[4],可指示輸出電壓狀態;以及輸出電流監測功能。熱關斷功能在發生非預期短路或異常發熱時,會立即關閉eFuse IC,以保護下游電路。從異常狀況中恢復的方式可在兩種運作模式之間切換:自動重試模式,eFuse IC會自動恢復;以及閂鎖關斷模式,恢復動作由外部訊號觸發。

Toshiba將持續開發可強化電源線保護安全性與可靠性的eFuse IC,並擴展產品陣容,以滿足廣泛的需求。

附註:
[1] 以額定電壓80V之eFuse IC而言,根據Toshiba於2026年8月的調查。
[2] 例如玻璃管保險絲及晶片電流保險絲。
[3] FLAG功能:一種在檢測到異常狀況時,輸出訊號以通知外部電路的功能。
[4] 電源良好功能:一種在輸出電壓達到指定值時,輸出訊號以通知外部電路的功能。

應用領域

  • 工業設備,如伺服器、網路設備、工廠自動化設備、機器人及多功能事務機
  • 消費性設備,如電動工具及家用電器

產品特色

  • 額定電壓80V,可支援最高54V運作系統的電源線保護
  • 業界額定電壓80V eFuse IC中最小型[1]的VQFN24D封裝:4.0×4.0mm(典型值),t=0.9mm(最大值)
  • 低導通電阻:RON =44.5mΩ(典型值)
  • 多種保護功能,包括過電流保護、過電壓保護、真正的反向電流阻斷,以及輸入反極性保護

主要規格

(除非另有註明, Ta=-40 至 125°C, 4.7V≤VIN≤75V, COUT=1μF)

產品型號 TCKE1401NM
封裝 名稱 VQFN24D
尺寸 (mm) 4.0×4.0 (典型值), t=0.9 (最大值)
絕對
最大
額定值
最大輸入
電壓
VIN[5] (V) Ta=25°C -0.3 至 80
VSYS[6] (V) Ta=25°C -80 至 80
工作
範圍
輸入電壓 VIN (V) 4.7 至 75
工作接面溫度 Tj_opr (°C) -40 至 125
電氣
特性
導通電阻 RON
(mΩ)
0.6A≤IOUT≤6A 典型值 44.5
最大值 80
過電流限制
ILIM (A)
VIN-VOUT=1V, RILIM=30kΩ,
Ta=25°C
典型值 0.82
VIN-VOUT=1V, RILIM=9kΩ,
Ta=25°C
典型值 2.21
VIN-VOUT=1V, RILIM=4.02kΩ,
Ta=25°C
典型值 4.83
VIN-VOUT=1V, RILIM=3kΩ,
Ta=25°C
典型值 6.43
快速跳脫反應
時間
 tFASTTRIP (μs)
VIN=48V, 3kΩ≤RILIM≤6kΩ 典型值 3
快速跳脫比較器準位 IFASTTRIP (A) 典型值 ILIM×2.0
電流限制
反應時間 tLIM
(μs)
ILIM (典型值)×1.4<IOUT<IFASTTRIP,
RILIM=3kΩ, Ta=25°C
典型值 100
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附註:
[5] 電源線的輸入電壓
[6] eFuse IC內部電路的輸入電壓

應用電路範例

Figure 1. Application circuit example
圖 1. 應用電路範例
Symbols 說明
Q1, Q2 用於真正反向電流阻斷和輸入反接保護的MOSFET
C1 輸入電容
C2 輸出電容
C3 用於轉換速率控制的電容
R1, R2, R3 用於設定過壓保護和欠壓鎖定閾值的電阻
R4, R5 用於設定Power-good 功能閾值的電阻
R6 Power-good功能的上拉電阻
R7 用於輸出限流調節的電阻
R8 用於電流監測的電阻

請透過以下連結查閱新產品的詳細資訊。
TCKE1401NM

請透過以下連結查閱Toshiba eFuse IC的詳細資訊。
eFuse IC

欲查閱Toshiba小型訊號及邏輯產品(包括eFuse IC)的選型指南,請瀏覽:
選型指南 - 小型訊號與邏輯  (PDF: 8.98MB)

欲查閱Toshiba eFuse IC的相關內容,請瀏覽:
強化電源供應保護的eFuse IC  (PDF: 529KB)
eFuse IC詞彙表  (PDF: 351KB)
eFuse IC的基本用法與功能 (PDF: 1.14MB)

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