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採用小型TSOP6F封裝的1.5 W MOSFET產品線擴展，將有助於減小設備尺寸
產品新聞 2022年3月
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）新推出兩款採用小型高允許功耗TSOP6F封裝的MOSFET產品，以擴展其產品線。 它們分別為20V N溝道「SSM6K824R」和-30V P溝道 「SSM6J825R」， 適用於消費電子設備和工業設備電機控制等應用。 ”
新產品採用東芝新工藝，導通電阻低。 此外，TSOP6F封裝通過扁平引線擴展了晶元安裝能力，降低熱阻。 產品額定功耗僅為1.5W，有助於降低設備功耗。 此外，與類似額定功耗的東芝SOP-8封裝相比，TSOP6F封裝安裝面積約減少70%，有助於減小設備尺寸。
隨著本次產品線擴充，我們現在有六款N溝道[1]和三款P溝道[1] 採用TSOP6F 封裝的單極性MOSFET產品，擴大了使用者的產品選擇範圍。
注：
[1]截至2022年2月。
應用
- 消費電子設備，工業設備（電機控制電路，電源管理開關等）
特性
- 小型TSOP6F封裝：2.9mm×2.8mm×0.80mm（典型值）
- 高額定允許功耗: PD=1.5 W
- 低導通電阻減小功耗：
RDS(ON)=33 mΩ (最大值) @VGS=4.5 V (SSM6K824R)
RDS(ON)=73 mΩ (最大值) @VGS=-4.5 V (SSM6J825R)
主要特性
(@Ta=25 °C)
| 器件型號 | 極性 | 封裝 | 絕對最大額定值 | 電氣特性 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名稱 | 尺寸典型值(mm) |
電壓 VDSS |
電壓 VGSS |
(DC) |
PD |
RDS(ON) |
Ciss |
Qg |
||
| @|VGS|= 4.5 V |
||||||||||
| SSM6K824R | N 溝道 | TSOP6F | 2.9 × 2.8 × 0.80 | 20 | ±8 | 6 | 1.5 | 33 | 410 | 3.6 |
| SSM6K818R [2][3] |
30 | ±20 | 15 | 12.0 | 1130 | 7.5 | ||||
| SSM6K804R [2][3] |
40 | ±20 | 12 | 18 | 1110 | 7.5 | ||||
| SSM6K809R [2][3] |
60 | ±20 | 6 | 51 | 550 | 9.3 | ||||
| SSM6K810R [2][3] |
100 | ±20 | 3.5 | 92 | 430 | 3.2 | ||||
| SSM6K819R [2][3] |
100 | ±20 | 10 | 36.4 | 1110 | 8.5 | ||||
| SSM6J801R [2] |
P溝道 | -20 | -8/+6 | -6.0 | 32.5 | 840 | 12.8 | |||
| SSM6J825R | -30 | -20/+10 | -4 | 73 | 492 | 6.2 | ||||
| SSM6J808R [2][3] |
-40 | -20/+10 | -7 | 48 | 1020 | 24.2 | ||||
注：
[2] 現有產品
[3] 通過AEC-Q101汽車級認證
引脚分佈
應用電路示例
注：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。
本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊，在公告之日仍為最新資訊，如有變更，恕不另行通知。
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