機器の小型化に貢献する1.5 W小型TSOP6FパッケージMOSFETのラインアップ拡充
製品情報 2022-3
当社は、民生用機器や産業用機器向けモーター制御などに適した小型・高許容損失のTSOP6FパッケージMOSFETを、2品種ラインアップへ拡充しました。20 V耐圧Nチャネルの「SSM6K824R」と、－30 V耐圧Pチャネルの「SSM6J825R」です。
新製品は、新プロセスの採用により低オン抵抗を実現しています。また、TSOP6Fパッケージは、フラットリードによりチップ搭載能力を拡大し、熱抵抗を削減しました。これにより、許容損失定格1.5 Wを実現し、機器の低消費電力化に貢献します。さらに、TSOP6Fパッケージは、同等許容損失定格の当社SOP-8パッケージと比べて実装面積を約70 %削減し、機器の小型化に貢献します。
今回のラインアップ拡充により、TSOP6Fパッケージを採用したシングルタイプのMOSFET製品は、Nチャネルが6品種[注1]、Pチャネルが3品種[注1]となり、製品選択の幅が広がりました。
[注1] 2022年2月時点
応用機器
- 民生用機器・産業用機器 (モーター制御回路、パワーマネジメントスイッチなど)
新製品の主な特長
- 小型TSOP6Fパッケージ : 2.9 mm × 2.8 mm × 0.80 mm (typ.)
- 高許容損失定格 : PD=1.5 W
- 低オン抵抗により消費電力を削減 :
RDS(ON)=33 mΩ (max) @VGS=4.5 V (SSM6K824R)
RDS(ON)=73 mΩ (max) @VGS=ー4.5 V (SSM6J825R)
新製品の主な仕様
(@Ta=25 °C)
| 品番 | 極性 | パッケージ | 絶対最大定格 | 電気的特性 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | サイズ typ. (mm) |
ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ゲート· ソース間 電圧 VGSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
許容 損失 PD (W) |
ドレイン· ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
入力 容量 Ciss typ. (pF) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
||
| @|VGS|= 4.5 V |
||||||||||
| SSM6K824R | Nチャネル | TSOP6F | 2.9 × 2.8 × 0.80 | 20 | ±8 | 6 | 1.5 | 33 | 410 | 3.6 |
| SSM6K818R [注2][注3] |
30 | ±20 | 15 | 12.0 | 1130 | 7.5 | ||||
| SSM6K804R [注2][注3] |
40 | ±20 | 12 | 18 | 1110 | 7.5 | ||||
| SSM6K809R [注2][注3] |
60 | ±20 | 6 | 51 | 550 | 9.3 | ||||
| SSM6K810R [注2][注3] |
100 | ±20 | 3.5 | 92 | 430 | 3.2 | ||||
| SSM6K819R [注2][注3] |
100 | ±20 | 10 | 36.4 | 1110 | 8.5 | ||||
| SSM6J801R [注2] |
Pチャネル | −20 | −8/+6 | −6.0 | 32.5 | 840 | 12.8 | |||
| SSM6J825R | −30 | −20/+10 | −4 | 73 | 492 | 6.2 | ||||
| SSM6J808R [注2][注3] |
−40 | −20/+10 | −7 | 48 | 1020 | 24.2 | ||||
[注2] 既存製品
[注3] 車載用でAEC-Q101適合
端子配置図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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