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機器の小型化に貢献する1.5 W小型TSOP6FパッケージMOSFETのラインアップ拡充

製品情報 2022-3

これは、機器の小型化に貢献する1.5 W小型TSOP6FパッケージMOSFETのラインアップ拡充の製品写真です。

当社は、民生用機器や産業用機器向けモーター制御などに適した小型・高許容損失のTSOP6FパッケージMOSFETを、2品種ラインアップへ拡充しました。20 V耐圧Nチャネルの「SSM6K824R」と、-30 V耐圧Pチャネルの「SSM6J825R」です。

新製品は、新プロセスの採用により低オン抵抗を実現しています。また、TSOP6Fパッケージは、フラットリードによりチップ搭載能力を拡大し、熱抵抗を削減しました。これにより、許容損失定格1.5 Wを実現し、機器の低消費電力化に貢献します。さらに、TSOP6Fパッケージは、同等許容損失定格の当社SOP-8パッケージと比べて実装面積を約70 %削減し、機器の小型化に貢献します。

今回のラインアップ拡充により、TSOP6Fパッケージを採用したシングルタイプのMOSFET製品は、Nチャネルが6品種[注1]、Pチャネルが3品種[注1]となり、製品選択の幅が広がりました。

[注1] 2022年2月時点

応用機器

  • 民生用機器・産業用機器 (モーター制御回路、パワーマネジメントスイッチなど)

新製品の主な特長

  • 小型TSOP6Fパッケージ : 2.9 mm × 2.8 mm × 0.80 mm (typ.)
  • 高許容損失定格 : PD=1.5 W
  • 低オン抵抗により消費電力を削減 :
    RDS(ON)=33 mΩ (max) @VGS=4.5 V (SSM6K824R)
    RDS(ON)=73 mΩ (max) @VGS=ー4.5 V (SSM6J825R)

新製品の主な仕様

(@Ta=25 °C)

品番 極性 パッケージ 絶対最大定格 電気的特性
名称 サイズ
typ.
(mm)
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ゲート·
ソース間
電圧
VGSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
許容
損失
PD
(W)
ドレイン·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
(mΩ)
入力
容量
Ciss
typ.
(pF)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
@|VGS|=
4.5 V
SSM6K824R Nチャネル TSOP6F 2.9 × 2.8 × 0.80 20 ±8 6 1.5 33 410 3.6
SSM6K818R
[注2][注3]
30 ±20 15 12.0 1130 7.5
SSM6K804R
[注2][注3]
40 ±20 12 18 1110 7.5
SSM6K809R
[注2][注3]
60 ±20 6 51 550 9.3
SSM6K810R
[注2][注3]
100 ±20 3.5 92 430 3.2
SSM6K819R
[注2][注3]
100 ±20 10 36.4 1110 8.5
SSM6J801R
[注2]
Pチャネル −20 −8/+6 −6.0 32.5 840 12.8
SSM6J825R −30 −20/+10 −4 73 492 6.2
SSM6J808R
[注2][注3]
−40 −20/+10 −7 48 1020 24.2

[注2] 既存製品
[注3] 車載用でAEC-Q101適合

端子配置図

これは、機器の小型化に貢献する1.5 W小型TSOP6FパッケージMOSFETのラインアップ拡充の端子配置図です。

応用回路例

これは、機器の小型化に貢献する1.5 W小型TSOP6FパッケージMOSFETのラインアップ拡充の応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

* 本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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