東芝擴展U-MOSX-H系列80V N通道功率MOSFET產品線，協助降低電源功耗

產品新聞2023年8月

The package photograph of lineup expansion of 80 V N-channel power MOSFET products in Toshiba’s U-MOSX-H series that help reduce the power consumption of power supplies.

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（東芝）推出三款80V N溝道功率MOFET擴充產品，三款產品均採用其最新一代[1] “U-MOSX-H系列”工藝，適用於資料中心和通信基地台等工業設備的開關電源。新產品採用表面黏著型SOP Advance(N)封裝， “TPH3R008QM ”漏源導通電阻(最大值)為3mΩ ， “TPH6R008QM”為6mΩ ， “TPH8R808QM”為8.8 mΩ 。

新產品降低了品質因數（ FOM:表示為導通電阻×電荷特性[2] 。）以TPH3R008QM為例，與現有產品TPH4R008NH相比，其品質因數，即漏源導通電阻與總閘極電荷乘積約下降48 % ，漏源導通電阻與閘極開關電荷乘積約下降16 % ，漏源導通電阻與輸出電荷乘積約下降33 % ，有助於降低設備功耗。

東芝正在擴大其產品線，以幫助降低設備功耗。

註：

[1]截至2023年8月
[2]總閘極電荷，閘極開關電荷，輸出電荷

應用

  • 開關電源（高效率AC-DC轉換器，高效率DC-DC轉換器等）
  • 馬達控制設備（馬達驅動器等）

特性

  • 最新一代[1]製程U-MOSX-H系列
  • 低導通電阻：
    TPH3R008QM R DS(ON) ＝3mΩ（最大值）（V GS ＝10V）
    TPH6R008QM R DS(ON) ＝6mΩ（最大值）（V GS ＝10V） TPH58R808QM RDS（最大值）(V GS ＝10V
    ) TPH8R808QM RDSΩ (8. （最大值）（V GS ＝10V ）
  • 高額定結溫：T ch （最大值）＝175°C

主要規格

（除非另有說明， T a ＝ 25°C ）

裝置型號

絕對最大額定值

漏源導通電阻

RDS(ON)

(mΩ)

總柵極電荷

Qg

(nC)

閘極開關電荷

QSW

(nC)

輸出電荷

Qoss

(nC)

輸入電容

Ciss

(pF)

閘極電阻

rg

(Ω)

封裝

漏源電壓

VDSS

(V)


漏極電流(DC)
ID
(A)

結溫

Tch

(°C)

VGS=

10 V

VGS=

6 V

Tc=
25 °C

最大值

最大值

典型值

典型值

典型值

典型值

典型值

TPH3R008QM

80

100

175

3

4.3

71

21.6

74

5090

1.7

SOP Advance(N)

TPH6R008QM

59

6

8.4

38

12

40

2500

1.5

TPH8R808QM

52

8.8

12.5

26

8.6

31

1750

1.5

內部電路

The illustration of internal circuit of lineup expansion of 80 V N-channel power MOSFET products in Toshiba’s U-MOSX-H series that help reduce the power consumption of power supplies.

應用電路範例

The illustration of application circuit examples of lineup expansion of 80 V N-channel power MOSFET products in Toshiba’s U-MOSX-H series that help reduce the power consumption of power supplies.

註：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。

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