電源の低消費電力化に貢献する80 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSX-Hシリーズのラインアップ拡充
製品情報 2023-08
当社は、データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した最新世代プロセス[注1]「U-MOSⅩ-Hシリーズ」を採用した、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETの3品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。表面実装タイプのSOP Advance(N)パッケージで、最大ドレイン･ソース間オン抵抗が3 ｍΩの「TPH3R008QM」と、6 mΩの「TPH6R008QM」と、8.8 mΩの「TPH8R808QM」です。
新製品は、素子構造の最適化により性能指数であるドレイン･ソース間オン抵抗×電荷量特性[注2]を低減しました。TPH3R008QMの場合、当社既存製品TPH4R008NHと比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量を約48 %低減、ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を約16 %低減、ドレイン･ソース間オン抵抗×出力電荷量を約33 %低減しました。これにより、機器の低消費電力化に貢献します。
当社は、今後も製品のラインアップの拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。
[注1] 2023年8月現在。
[注2] ゲート入力電荷量、ゲートスイッチ電荷量、出力電荷量
応用機器
- スイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
- モーター制御機器 (モータードライブなど)
新製品の主な特長
- 最新世代プロセス[注1]U-MOSX-Hシリーズ
- 低オン抵抗 :
TPH3R008QM RDS(ON)=3 mΩ (max) (VGS=10 V)
TPH6R008QM RDS(ON)=6 mΩ (max) (VGS=10 V)
TPH8R808QM RDS(ON)=8.8 mΩ (max) (VGS=10 V) - チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C
新製品の主な仕様
（特に指定のない限り、Ta=25 °C）
品番 |
絶対最大定格 |
ドレイン・ オン抵抗 RDS(ON) (mΩ) |
ゲート 入力 電荷量 Qg (nC) |
ゲート スイッチ 電荷量 QSW (nC) |
出力 電荷量 Qoss (nC) |
入力 Ciss (pF) |
ゲート rg (Ω) |
パッケージ |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ドレイン・ 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID |
チャネル 温度 Tch (°C) |
VGS= 10 V |
VGS= 6 V |
|||||||
Tc=25 °C |
max |
max |
typ. |
typ. |
typ. |
typ. |
typ. |
||||
80 |
100 |
175 |
3 |
4.3 |
71 |
21.6 |
74 |
5090 |
1.7 |
SOP Advance(N) |
|
59 |
6 |
8.4 |
38 |
12 |
40 |
2500 |
1.5 |
||||
52 |
8.8 |
12.5 |
26 |
8.6 |
31 |
1750 |
1.5 |
||||
内部回路構成図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。