有助於實現工業設備高效化和小型化的1200V SiC MOSFET模組產品線擴展
2024年6月產品新聞
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」 ）現已開始量產適用於工業設備的寬能隙碳化矽（ SiC ） 1200V 、汲極電流（ DC ）額定值為400A的SiC MOSFET模組「MG400Q2YMS3 ” ，擴大了模組產品線。
新產品MG400Q2YMS3的汲極-源極導通電壓（感應）低至0.9 V （typ.） [1] ，可實現低導通損耗。它還具有降低開關損耗，開通損耗和關斷損耗低至13mJ （typ.） [2] 。這些特性都有助於縮小設備功耗以及散熱裝置的尺寸。
MG400Q2YMS3的雜散電感低至12nH （typ.），可執行高速開關操作。此外，其可在開關操作時抑制突波電壓。因此，其可用於高頻隔離DC-DC轉換器。
東芝的2-153A1A封裝式SiC MOSFET模組的產品線由現有的五款產品組成（包括新產品）分別為MG250YD2YMS3 （ 2200V/250A ）、 MG400V2YMS3 （ 1700V/400A ） 、 MG250V2YMS3 （ 1700V/250A）和 MG600Q2YMS3（ 1200V/600A ）。可提供客戶更廣泛的產品選擇。
東芝將繼續努力以滿足工業設備對高效率和小型化的需求。
註
[1]測試條件： I D ＝ 400 A ， V GS ＝ +20 V ， T ch ＝ 25 °C
[ 2]測試條件： V DD ＝ 600 V ， I D ＝ 400 A ， T ch ＝ 150 °C
應用
工業設備
- 軌道車輛的輔助電源
- 再生能源發電系統
- 工業設備的馬達控制設備
- 高頻DC-DC轉換器等
特性
- 低汲極-源極導通電壓（感應）：
V DS( on)sense ＝0.9 V（typ.）（I D ＝400 A，V GS ＝+20 V，T ch ＝25 °C ） - 低開通損耗：:
E on ＝13 mJ （typ.）（V DD ＝600 V，I D ＝400 A，T ch ＝150 °C ） - 低關斷損耗：
E off ＝13 mJ （typ.）（V DD ＝600 V，I D ＝400 A，T ch ＝150 °C ） - 低雜散電感：
L sPN ＝12 nH （typ.）
主要規格
(除非另有規定， T c ＝ 25 °C )
| 裝置型號 | MG400Q2YMS3 | |||
|---|---|---|---|---|
| 東芝封裝名稱 | 2-153A1A | |||
| 絕對最大額定值 | 汲極-源極電壓 VDSS (V) | 1200 | ||
| 閘極-源極電壓 VGSS (V) | +25 / -10 | |||
| 汲極電流 (DC) ID (A) | 400 | |||
| 汲極電流（脈衝） IDP (A) | 800 | |||
| 結溫 Tch (°C) | 150 | |||
| 隔離電壓 Visol (Vrms) | 4000 | |||
| 電氣特性 | 汲極-源極導通電壓（感應) VDS(on)sense (V) |
ID=400 A, VGS=+20 V, Tch＝25 °C |
Typ. | 0.9 |
| 源極-汲極導通電壓（感應） VSD(on)sense (V) |
IS=400 A, VGS=+20 V, Tch＝25 °C |
Typ. | 0.8 | |
| 源極-汲極關斷電壓（感應） VSD(off)sense (V) |
IS=400 A, VGS=-6 V, Tch＝25 °C |
Typ. | 1.6 | |
| 開通損耗 Eon (mJ) |
VDD=600 V, ID=400 A, Tch=150 °C |
Typ. | 13 | |
| 關斷損耗 Eoff (mJ) |
Typ. | 13 | ||
| 雜散電感 LsPN (nH) | Typ. | 12 | ||
內部電路
應用電路範例
註：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。
*本文提及的公司名稱，產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
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