Toshiba第三代碳化矽肖特基柵極二極體產品系列增添1200 V新成員，將推動工業電源設備實現高效率
2024年9月25日
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
日本川崎-東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）已在第三代碳化矽(SiC)肖特基柵極二極體(SBD)產品線中增添「TRSxxx120Hx系列」1200 V產品，應用於光伏逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備。Toshiba現已開始提供該系列的十款新產品，其中包括採用TO-247-2L封裝的五款產品和採用TO-247封裝的五款產品。
最新TRSxxx120Hx系列為1200 V產品，它採用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改進型接面柵極肖特基(JBS)結構 [1]。在接面柵極中使用新型金屬，有助於這些新產品實現前沿的[2]1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。
Toshiba將繼續壯大其SiC電源器件的產品線，並將一如既往地專注於提高效率，降低工業電源設備功耗。
備註：
[1]改進型JBS結構：該結構將混合式PiN肖特基(MPS)結構整合在JBS結構中，MPS可在大電流下降低正向電壓，而JBS不僅可降低肖特基介面的電場，還可減少電流洩漏。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的Toshiba調查。
應用
- 光伏逆變器
- 電動汽車充電站
- 用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統(UPS)
功能
- 第3代1200 V SiC SBD
- 前沿的[2]低正向電壓：V F ＝1.27V（典型值）(I F =I F(DC) )
- 低總電容電荷：TRS20H120H 的Q C =109nC（典型值）（V R =800V，f=1MHz）
- 低反向電流：TRS20H120H的I R ＝2.0μA（典型值）(V R =1200V)
主要規格
(除非另有說明，否則T a =25°C)
| 器件型號 | 封 裝 |
絕對最大額定值 | 電氣特性 | 樣品查看與 供貨情況 |
|||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
電壓 |
IF(DC) |
非重複 峰值正向 浪湧電流 |
（脈衝測量） VF |
反向電流 （脈衝測量） |
QC |
||||
Tc |
f=50Hz (半正弦波, t=10ms), Tc=25°C |
IF=IF(DC) | VR=1200V | VR=800V, f=1MHz | |||||
| 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||
| TRS10H120H | TO-247-2L | 1200 | 10 | 160 | 80 | 1.27 | 1.0 | 61 |  |
| TRS15H120H | 15 | 157 | 110 | 1.4 | 89 | |
|||
| TRS20H120H | 20 | 155 | 140 | 2.0 | 109 | |
|||
| TRS30H120H | 30 | 150 | 210 | 2.8 | 162 | |
|||
| TRS40H120H | 40 | 147 | 270 | 3.6 | 220 | |
|||
| TRS10N120HB | TO-247 | 5 (每個引腳) 10 (兩個引腳) |
160 | 40 (每個引腳) 80 (兩個引腳) |
1.27 (Per leg) |
0.5 (每個引腳) |
30 (每個引腳) |
|
|
| TRS15N120HB | 7.5 (每個引腳) 15 (兩個引腳) |
157 | 55 (每個引腳) 110 (兩個引腳) |
0.7 (每個引腳) |
43 (每個引腳) |
|
|||
| TRS20N120HB | 10 (每個引腳) 20 (兩個引腳) |
155 | 70 (每個引腳) 140 (兩個引腳) |
1.0 (每個引腳) |
57 (每個引腳) |
|
|||
| TRS30N120HB | 15 (每個引腳) 30 (兩個引腳) |
150 | 105 (每個引腳) 210 (兩個引腳) |
1.4 (每個引腳) |
80 (每個引腳) |
|
|||
| TRS40N120HB | 20 (每個引腳) 40 (兩個引腳) |
147 | 135 (每個引腳) 270 (兩個引腳 |
1.8 (每個引腳) |
108 (每個引腳) |
|
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