用於車載設備的小型MOSFET產品線中新增了40 V產品，其低導通電阻有助於降低功耗
產品新聞2022年3月
東芝電子元件及儲存裝置株式會社 （“東芝”） 推出了用於車載設備的40V N溝道MOSFET“SSM6K804R”，以擴充產品線。
新產品SSM6K804R採用新工藝製造，實現業界領先[1] 低導通電阻，4.5V柵源電壓條件下，最大導通電阻為18mΩ 。 此外，扁平引線封裝提高了晶元安裝能力，降低熱阻。 產品採用小型TSOP6F封裝，額定功耗僅為1.5W[2]，有助於降低設備耗能。
與東芝同等額定功耗的SOP-8封裝產品相比[3]，TSOP6F封裝產品安裝面積約減小70%，有助於減小設備尺寸。 此外，產品符合AEC-Q101標準，適用於車載DC-DC轉換器等各種應用。
注：
[1]與TSOP6F級封裝，具有相同最大額定值的產品進行比較，根據東芝調查（截至2022年2月）
[2] 安裝在環氧樹脂板上 (FR4, 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, 銅焊盤: 645 mm2)
[3] TP89R103NL 等
應用
- 車載設備（反接保護、負載開關、DC-DC轉換器等）
特性
- 業界領先[1]低導通電阻降低能耗：
RDS(ON)=18 mΩ (最大值) @VGS=4.5 V - TSOP6F封裝降低了飽和熱阻，額定功耗僅為1.5W
- 通過AEC-Q101認證
主要規格
(@Ta=25 °C)
器件型號 |
極性 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
名稱 |
尺寸典型值 (mm) |
漏極-源極電壓 VDSS (V) |
柵極-源極電壓 VGSS (V) |
漏極電流 （直流） ID (A) |
功耗 PD (W) |
漏極-源極 導通電阻 RDS(ON) 最大值 (mΩ) |
輸入電容 Ciss 典型值 (pF) |
柵極總荷電量 Qg 典型值 (nC) |
||
@VGS= 4.5 V |
||||||||||
N溝道 |
TSOP6F |
2.9 × 2.8 × 0.8 |
40 |
±20 |
12 |
1.5 |
18 |
1110 |
7.5 |
|
30 |
15 |
12 |
1130 |
7.5 |
||||||
60 |
6 |
51 |
550 |
9.3 |
||||||
100 |
3.5 |
92 |
430 |
3.2 |
||||||
100 |
10 |
36.4 |
1110 |
8.5 |
||||||
注
[4]現有產品
內部電路
應用電路示例
注：
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。
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