用於車載設備的小型MOSFET產品線中新增了40 V產品,其低導通電阻有助於降低功耗

產品新聞2022年3月

The package photograph of A 40 V Product Is Added to the Lineup of Small MOSFETs for Automotive Equipment That Help Reduce Power Consumption with Their Low on-Resistance : SSM6K804R.

東芝電子元件及儲存裝置株式會社 (“東芝”) 推出了用於車載設備的40V N溝道MOSFET“SSM6K804R”,以擴充產品線。

新產品SSM6K804R採用新工藝製造,實現業界領先[1] 低導通電阻,4.5V柵源電壓條件下,最大導通電阻為18mΩ 。 此外,扁平引線封裝提高了晶元安裝能力,降低熱阻。 產品採用小型TSOP6F封裝,額定功耗僅為1.5W[2],有助於降低設備耗能。

與東芝同等額定功耗的SOP-8封裝產品相比[3],TSOP6F封裝產品安裝面積約減小70%,有助於減小設備尺寸。 此外,產品符合AEC-Q101標準,適用於車載DC-DC轉換器等各種應用。

注:

[1]與TSOP6F級封裝,具有相同最大額定值的產品進行比較,根據東芝調查(截至2022年2月)

[2] 安裝在環氧樹脂板上 (FR4, 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, 銅焊盤: 645 mm2)
[3] TP89R103NL 等

應用

  • 車載設備(反接保護、負載開關、DC-DC轉換器等)

特性

  • 業界領先[1]低導通電阻降低能耗:
    RDS(ON)=18 mΩ (最大值) @VGS=4.5 V
  • TSOP6F封裝降低了飽和熱阻,額定功耗僅為1.5W
  • 通過AEC-Q101認證

主要規格

(@Ta=25 °C)

器件型號

極性

封裝

絕對最大額定值

電氣特性

名稱

尺寸典型值

(mm)

漏極-源極電壓

VDSS

(V)

柵極-源極電壓

VGSS

(V)

漏極電流

(直流)

 

ID

(A)

功耗

PD

(W)

漏極-源極

導通電阻

 

RDS(ON)

最大值

(mΩ)

輸入電容

Ciss

典型值

(pF)

柵極總荷電量

Qg

典型值

(nC)

@VGS=

4.5 V

SSM6K804R

N溝道

TSOP6F

2.9 × 2.8 × 0.8

40

±20

12

1.5

18

1110

7.5

SSM6K818R[4]

30

15

12

1130

7.5

SSM6K809R[4]

60

6

51

550

9.3

SSM6K810R[4]

100

3.5

92

430

3.2

SSM6K819R[4]

100

10

36.4

1110

8.5

[4]現有產品

內部電路

The illustration of pin assignments of A 40 V Product Is Added to the Lineup of Small MOSFETs for Automotive Equipment That Help Reduce Power Consumption with Their Low on-Resistance : SSM6K804R.

應用電路示例

The illustration of application circuit example of A 40 V Product Is Added to the Lineup of Small MOSFETs for Automotive Equipment That Help Reduce Power Consumption with Their Low on-Resistance : SSM6K804R.

注:

本文所示應用電路僅供參考。

需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。

提供這些應用電路示例並不授予任何工業產權許可。

*本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯繫方式等資訊,在公告之日仍為最新資訊,如有變更,恕不另行通知。

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