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低オン抵抗で低消費電力化に貢献する、車載機器向け小型MOSFETに40 V耐圧をラインアップ追加

製品情報 2022-03

これは、低オン抵抗で低消費電力化に貢献する、車載機器向け小型MOSFETに40 V耐圧をラインアップ追加 : SSM6K804Rの製品写真です。

当社は、車載機器向け40 V耐圧NチャネルMOSFET「SSM6K804R」を製品化し、ラインアップを拡充しました。

新製品SSM6K804Rは、新プロセスの採用により、ゲート・ソース間電圧4.5 V印加時のオン抵抗が最大18 mΩと業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現しています。また、フラットリードによりチップ搭載能力を拡大し、熱抵抗を削減しました。これにより、小型TSOP6Fパッケージで許容損失定格1.5 W[注2]を実現し、機器の低消費電力化に貢献します。
TSOP6Fパッケージは、同等許容損失定格の当社SOP-8パッケージ製品[注3]と比べて実装面積を約70 %削減し、機器の小型化に貢献します。さらに、AEC-Q101に適合しており、車載用昇降圧DC-DCコンバーターなどのさまざまな用途で使用可能です。

[注1] TSOP6Fクラスパッケージ、同耐圧の製品で。当社調べ (2022年2月時点) によるものです。
[注2] ガラスエポキシ基板 (FR4、25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm、Cu pad: 645 mm2)実装時
[注3] TP89R103NLなど

応用機器

  • 車載機器 (逆接保護、ロードスイッチ、昇降圧DC-DCコンバーターなど)

新製品の主な特長

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗により消費電力を削減
    RDS(ON)=18 mΩ (max) @VGS=4.5 V
  • 熱抵抗を低減し、TSOP6Fパッケージで許容損失定格1.5 W[注2]を実現
  • AEC-Q101適合

新製品の主な仕様

(@Ta=25 °C)

品番

極性

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

名称

サイズ

typ.

(mm)

ドレイン・

ソース間

電圧

VDSS

(V)

ゲート・

ソース間

電圧

VGSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

許容

損失

PD

(W)

ドレイン・

ソース間

オン抵抗

RDS(ON)

max

(mΩ)

入力

容量

Ciss

typ.

(pF)

ゲート

入力

電荷量

Qg

typ.

(nC)

@VGS=

4.5 V

SSM6K804R

Nチャネル

TSOP6F

2.9 × 2.8 × 0.8

40

±20

12

1.5

18

1110

7.5

SSM6K818R[注4]

30

15

12

1130

7.5

SSM6K809R[注4]

60

6

51

550

9.3

SSM6K810R[注4]

100

3.5

92

430

3.2

SSM6K819R[注4]

100

10

36.4

1110

8.5

[注4] 既存製品

端子配置図

これは、低オン抵抗で低消費電力化に貢献する、車載機器向け小型MOSFETに40 V耐圧をラインアップ追加 : SSM6K804Rの端子配置図です。

応用回路例

これは、低オン抵抗で低消費電力化に貢献する、車載機器向け小型MOSFETに40 V耐圧をラインアップ追加 : SSM6K804Rの応用回路図です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

 

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