東芝發布150V N溝道功率MOSFET，具有業界領先的[1] 低導通電阻和改進的反向恢復特性，有助於提高電源效率
· 2023年3月31日
東芝電子元件及存儲裝置株式會社
![Toshiba Releases 150V N-channel Power MOSFET with Industry-leading<sup>[1]</sup> Low On-resistance and Improved Reverse Recovery Characteristics that Help Increase the Efficiency of Power Supplies](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/company/news/news-release/mosfet/mosfet-20230330-1_1_en.jpg)
日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”） 推出了一款150V N溝道功率MOSFET TPH9R00CQ5。該產品採用最新一代[2]U-MOSX-H製程，可用於工業設備開關電源，如資料中心和通訊基地台使用的電源。產品即日起開始出貨。
TPH9R00CQ5具有業界領先的[1]9.0mΩ（最大值）低漏極-源極導通電阻，與東芝現有產品TPH1500CNH1[3]相比降低了約42%。與東芝現有產品TPH9R00CQH[4]相比，反向恢復電荷降低了約74%，反向恢復[5]時間縮短了約44%，這都是同步整流應用所需的關鍵反向恢復特性。在同步整流應用[6]中，新產品可降低開關電源的功率損耗，提高效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產品降低了開關期間產生的尖峰電壓，有助於減少電源的電磁干擾。
該產品採用通用的表面黏著型SOP Advance(N)封裝。
東芝還提供支援開關電源電路設計的工具。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，能夠準確再現瞬態特性的高精密度G2 SPICE模型現在也已上市。
東芝還開發了採用新產品的「用於電信設備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC 轉換器」和「採用MOSFET的三相多電平逆變器」參考設計。這些設計即日起在東芝官網上線。新產品還可用於已經發布的「1 kW全橋DC-DC 轉換器」參考設計。
東芝將繼續擴大功率MOSFET產品陣容，以減少功率損耗，提高電源效率和幫助改善設備效率。
應用
- 工業設備的電源，如用於資料中心和通訊基地台的電源。
- 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）
特性
- 業界領先的[1]低導通電阻：RDS(ON)=9.0mΩ（最大值）(VGS=10V)
- 業界領先的[1]低反向恢復電荷：Qrr=34nC（典型值）(-dIDR/dt=100A/μs)
- 業界領先的[1]快速反向恢復時間：trr=40ns（典型值）(-dIDR/dt=100A/μs)
- 高結溫等級：Tch（最大值）=175°C
注釋：
[1] 截至2023年3月。與其他150V產品比較。東芝調查。
[2] 截至2023年3月。
[3] 使用現有生成製程U-MOSVIII-H的150V產品
[4] 產品採用與TPH9R00CQ5相同的生成製程，並具有相同的電壓和導通電阻
[5] MOSFET主體二極體從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。
[6] 如果新產品用於不進行反向恢復操作的電路，則功率損失相當於TPH9R00CQH的水準。
主要特性
(Ta=25°C ，除非另有說明)
| 元件型號 | TPH9R00CQ5 | ||
|---|---|---|---|
絕對 最大 額定值 |
漏源電壓 VDSS (V) | 150 | |
| 漏極電流 (DC) ID (A) | Tc=25°C | 64 | |
| 結溫 Tch (°C) | 175 | ||
| 電氣特性 | 漏源導通電阻 RDS(ON) 最大值 (mΩ) |
VGS=10V | 9.0 |
| VGS=8V | 11.0 | ||
| 總閘電荷 Qg典型值 (nC) | 44 | ||
| 閘極開關電荷 QSW 典型值(nC) | 11.7 | ||
| 輸出電荷Qoss 典型值 (nC) | 87 | ||
| 輸入電容 Ciss 典型值 (pF) | 3500 | ||
| 反向恢復時間 trr 典型值 (ns) | -dIDR/dt=100A/μs | 40 | |
| 反向恢復電荷 Qrr 典型值 (nC) | 34 | ||
| 封裝 | 名稱 | SOP Advance(N) | |
| 尺寸典型值 (mm) | 4.9 × 6.1 × 1.0 | ||
| 樣品查詢與庫存 |  |
||
參考設計: “用於電信設備的1 kW非隔離Buck-Boost DC-DC 轉換器”
參考設計: “採用MOSFET的三相多電平逆變器”
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