2023年8月31日
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
川崎—東芝電子元件及儲存裝置株式會社(“Toshiba”)推出多款用於工業裝置的碳化矽(SiC) MOSFET,稱為“TWxxxZxxxC”系列,採用可降低開關損耗的四引腳TO-247-4L(X)封裝和公司最新的[1] 第三代SiC MOSFET晶片。即日起開始批量出貨10款產品,其中5款產品的額定電壓為650V,另外5款為1200V。
這些新產品是Toshiba首次採用四引腳TO-247-4L(X)封裝的SiC MOSFET系列,支援在閘極驅動信號源端進行凱爾文連接。該封裝可降低封裝內部源線電感的影響,提升高速開關的效能。與Toshiba現有三引腳TO-247封裝產品TW045N120C相比,新TW045Z120C系列的導通損耗降低約40%,關斷損耗降低約34%[2],從而有助於降低裝置功率損耗。
使用SiC MOSFET的三相逆變器的參考設計已於線上發表。
未來Toshiba將繼續擴大產品陣容,以順應市場趨勢,並為提高裝置效率和擴大功率容量做出貢獻。
注:
[1] 截至2023年8月。
[2] 截至2023年8月,Toshiba測量值(測試條件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C)
(除非另有說明,否則Ta=25°C)
部件型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | 電氣特性 | 樣品檢查 及 供貨情況 |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
漏源 電壓 VDSS (V) |
柵源 電壓 VGSS (V) |
漏極 電流 (DC) |
漏源 導通 電阻 RDS(ON) (mΩ) |
閘極 閾值 電壓 Vth (V) |
總 閘極 電荷 Qg (nC) |
柵漏 電荷 Qgd (nC) |
電容Ciss (pF) |
二極體 正向 電壓 VDSF (V) |
||||
Tc=25°C | VGS=18V | VDS=10V | VGS=18V | VGS=18V | 典型值 | Test condition VDS (V) | VGS=-5V | |||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||||
TW015Z120C | TO-247 -4L(X) |
1200 | -10至 25 | 100 | 15 | 3.0至 5.0 | 158 | 23 | 6000 | 800 | -1.35 | |
TW030Z120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | |||||||
TW045Z120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | |||||||
TW060Z120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | |||||||
TW140Z120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | |||||||
TW015Z65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 400 | |||||
TW027Z65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | |||||||
TW048Z65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | |||||||
TW083Z65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | |||||||
TW107Z65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 |
瀏覽以下連結,詳細瞭解新產品。
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C
瀏覽以下連結,詳細瞭解Toshiba的MOSFET產品。
客戶查詢:
功率元件銷售與行銷部
電話: +81-44-548-2216
* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是各自公司的商標。
* 本文檔中的資訊(包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式)截至公告發佈之日是最新的,如有變更,恕不另行通知。