MT3S111P

不推薦用於新設計

Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

產品概要

Application Scope VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier
Polarity NPN
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

包裝資訊

Toshiba Package Name PW-Mini
Package Image PW-Mini
JEITA SC-62
Pins 3
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
4.6×4.2×1.6
Package Dimensions 檢視
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絕對最大額定值

項目 符號 單位
Collector Current IC 0.1 A
Collector power dissipation PC 300 mW
Collector power dissipation (mounted on board) PC 1000 mW
Junction temperature Tj 150
Collector-emitter voltage VCEO 6 V

電器特性

項目 符號 條件 單位
Insertion Gain (Typ.) |S21|2 f=1GHz 10.5 dB
Transition frequency (Typ.) fT - 8 GHz
Noise Figure (Typ.) NF f=1GHz 0.95 dB

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