東芝擴展3300V SiC MOSFET模組的產品陣容，有助於工業設備的高效率化及小型化

產品新聞 2023 年 12 月

The package photograph of lineup expansion of 3300 v sic MOSFET modules that contribute to high efficiency and downsizing of industrial equipment.

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）推出應用於工業設備的第三代碳化矽（ SiC ）MOSFET和SBD Chopper模組“MG800FXF1ZMS3 [1] ”和“MG 800FZF1JMS3 [2] ”，額定電壓/電流為3300 V/800 A，藉此擴展此產品線陣容。

新產品MG800FXF1ZMS3和MG800FXF1JMS3內部採用銀燒結技術並使用iXPLV [ 3]封裝，安裝相容性高。透過將Drain-Source電壓（檢測端子）降低至 1.3 V（典型值），實現了低導通損耗[註 4]。此外，Eon已降至230 mJ（典型值）[註5]，Eoff已降至230 mJ（典型值）[註5]，實現了低開關損耗。這有助於減少設備損失並縮小設備所需的散熱器尺寸。iXPLV [註3]封裝的SiC MOSFET模組陣容包含此次發表的二款產品及一款現有產品MG800FXF2YMS3（3300 V耐壓/800 A/雙SiC MOSFET模組），提供客戶有多樣性選擇，不僅可用於2-Level變頻器，還可用於降壓/升壓電路和3-Level架構。

東芝持續致力於提高工業設備效率及小型化。

註：

[1] High-side: SiC MOSFET、Low-side: SiC SBD

[2] High-side: SiC SBD、Low-side: SiC MOSFET

[3] iXPLV: intelligent fleXible Package Low Voltage

[4] 測試條件: ID=800 A、VGS=+20 V、Tch=25 °C

[5] 測試條件: VDD=1800 V、ID=800 A、Tch=175 °C

應用領域

工業設備

  • 鐵道電車Converter/Inverter (CI)
  • 再生能源發電系統
  • 工業設備等馬達控制

特長

  • Low drain-source on-voltage (sense):
    VDS(on)sense=1.3 V (typ.) (ID=800 A, VGS=+20 V, Tch=25 °C)
  • Low turn-on switching loss:
    Eon=230 mJ (typ.) (VDD=1800 V, ID=800 A, Tch=175 °C)
  • Low turn-off switching loss:
    Eoff=230 mJ (typ.) (VDD=1800 V, ID=800 A, Tch=175 °C)

主要規格

(Tc=25 °C, 除非另有說明)

型號

MG800FXF1ZMS3

MG800FXF1JMS3
東芝的封裝名稱 iXPLV
絕對
最大額定值		 Drain-source voltage  VDSS  (V) 3300
Gate-source voltage  VGSS  (V) +25 / -10
Drain current (DC)  ID  (A) 800
Drain current (pulsed)  IDP  (A) 1600
Channel temperature  Tch  (°C) 175
Isolation voltage  Visol  (Vrms) 6000
電氣
特性		 Drain-source on-voltage (sense)
VDS(on)sense  (V)		 ID=800 A, VGS=+20 V,
Tch＝25 °C		 典型值 1.3
Source-drain on-voltage (sense)
VSD(on)sense  (V)		 IS=800 A, VGS=+20 V,
Tch＝25 °C		 典型值 1.3
Source-drain off-voltage (sense)
VSD(off)sense  (V)		 IS=800 A, VGS=-6 V,
Tch＝25 °C		 典型值 2.1
Turn-on switching loss
Eon  (mJ)		 VDD=1800 V, ID=800 A,
Tch=175 °C		 典型值 230
Turn-off switching loss
Eoff  (mJ)		 典型值 230

內部電路

The illustration of internal circuit of MG800FXF1ZMS3
The illustration of internal circuit of MG800FXF1JMS3

應用電路範例

The illustration of application circuit example of 3 level three phase inverters

註：本應用電路範例為參考範例，請在量產設計時進行充分評估。此外，這並不構成使用工業產權的許可。

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