製品情報 2023-12
当社は、産業用機器向けに第3世代のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップとSBDチップを搭載した3300 V耐圧、ドレイン電流 (DC) 定格 800 A のChopper SiC MOSFETモジュール「MG800FXF1ZMS3[注1]、MG800FXF1JMS3[注2]」を製品化し、ラインアップを拡充しました。
新製品MG800FXF1ZMS3およびMG800FZF1JMS3は、Ag焼結接合技術を適用した取り付け互換性の高いiXPLV[注3]パッケージを採用しました。ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) を1.3 V (typ.)[注4]に下げることで、低導通損失を実現しました。また、ターンオンスイッチング損失を230 mJ (typ.)[注5]、ターンオフスイッチング損失を230 mJ (typ.)[注5]に低減し、低スイッチング損失を実現しました。これにより、機器の損失低減と冷却装置の小型化に貢献します。
iXPLV[注3]パッケージの当社SiC MOSFETモジュールは、既存製品MG800FXF2YMS3 (3300 V耐圧/800 A/Dual SiC MOSFETモジュール) を含めた3製品のラインアップとなります。これにより、製品選択の幅が広がり、2レベルインバーターをはじめとして、降圧/昇圧チョッパー回路や3レベルインバーターにも使用できます。
当社は、産業用機器の高効率化、小型化のニーズに対応していきます。
[注1] High-side: SiC MOSFET、Low-side: SiC SBD
[注2] High-side: SiC SBD、Low-side: SiC MOSFET
[注3] iXPLV: intelligent fleXible Package Low Voltage
[注4] 測定条件: ID=800 A、VGS=+20 V、Tch=25 °C
[注5] 測定条件: VDD=1800 V、ID=800 A、Tch=175 °C
産業用機器
(特に指定のない限り、Tc=25 °C)
品番 | ||||
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当社パッケージ名称 | iXPLV | |||
絶対最大 定格 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) | 3300 | ||
ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) | +25/-10 | |||
ドレイン電流 (DC) ID (A) | 800 | |||
ドレイン電流 (パルス) IDP (A) | 1600 | |||
チャネル温度 Tch (°C) | 175 | |||
絶縁耐圧 Visol (Vrms) | 6000 | |||
電気的特性 | ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) VDS(on)sense (V) |
ID=800 A、VGS=+20 V、 Tch=25 °C |
Typ. | 1.3 |
ソース・ドレイン間オン電圧 (センス端子) VSD(on)sense (V) |
IS=800 A、VGS=+20 V、 Tch=25 °C |
Typ. | 1.3 | |
ソース・ドレイン間オフ電圧 (センス端子) VSD(off)sense (V) |
IS=800 A、VGS=-6 V、 Tch=25 °C |
Typ. | 2.1 | |
ターンオンスイッチング損失 Eon (mJ) |
VDD=1800 V、ID=800 A、 Tch=175 °C |
Typ. | 230 | |
ターンオフスイッチング損失 Eoff (mJ) |
Typ. | 230 |
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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