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EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK430A60F、TK370A60F

製品情報 2019-02

これは、EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK430A60F、TK370A60Fの製品写真です。

当社は、最新[注1]の600 V耐圧NチャネルプレーナMOSFET π-MOSIXシリーズ「TK430A60F」「TK370A60F」を製品化し、ラインアップ展開しました。
新シリーズ (π-MOSIXシリーズ) 製品は、チップデザインの最適化により従来製品π-MOSVIIシリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を低減しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。同シリーズの既存製品TK750A60F (π-MOSIX) は、従来製品TK10A60D (π-MOSVII) に比べて、EMIノイズピーク値は5 dB低減[注2]しています。また、ドレイン電流 (DC) 定格と同等のアバランシェ電流定格を確保し、従来製品からの置き換え検討を容易にしています。
今後、本シリーズのラインアップ展開を行います。

[注1] 2019年1月時点
[注2] 65 WノートPCアダプタ@200 MHz領域 

特⻑

  • 最新[注1]のプレーナMOSFETプロセス (π-MOSIXシリーズ) を採用
  • 高効率と低ノイズの両立
  • ドレイン電流 (DC) 定格と同等のアバランシェ電流定格を確保

用途

  • 中小型スイッチング電源 (ノートPC用ACアダプタ、ゲーム機チャージャなど)
  • 照明用電源

製品仕様

(@Ta=25°C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
@VGS=10 V
(Ω)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
従来シリーズ
(π-MOSVIIシリーズ)
品番
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
TO-220SIS 600 13 0.43 48 1940
15 0.37 55 2200

内部回路構成図

これは、EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK430A60F、TK370A60Fの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK430A60F、TK370A60Fの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

最新[注1]シリーズと従来シリーズとの比較[注3] (参考データ)

これは、EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK430A60F、TK370A60Fの最新シリーズと従来シリーズとの比較です。

[注3] 当社実測値 (最新シリーズTK750A60F、従来シリーズTK10A60Dを比べた場合)

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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