MOSFET
MOSFETはMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor の略でMOS型の電界効果トランジスターのことです。Si（シリコン）を材料として使用した製品が主流ですが、パワーMOSFET分野では電源やインバーターなどの高性能化、高効率化に最適なSiC（シリコンカーバイド）も使用されています。
東芝はMOSFETの開発と生産を長年にわたって手がけており、低耐圧製品から中高耐圧製品まで、低損失、高速、低オン抵抗、小型パッケージなどの特長を有した豊富な製品をラインアップすることで、様々な用途に最適なMOSFETをご提供しています。
ラインアップ
12V - 300V MOSFET
トレンチ構造を採用し、優れた微細化技術を用いてセルの高集積化を進めることで、ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)を改善しています。
400V - 900V MOSFET
高出力電源向けに適したスーパージャンクション(SJ)構造のMOSFETシリーズと低出力電源向けに適したD-MOS(二重拡散構造)のMOSFETシリーズがあります。
車載MOSFET
12Vバッテリーシステム・モーターコントロール用をはじめ、多様な車載用途に向け、豊富なラインアップで提供します。
MOSFETゲートドライバーIC
当社MOSFETゲートドライバーICは昇圧回路や保護回路を内蔵した超小型のNch MOSFETドライバーです。MOSFETと組み合わせてご使用頂くことで小型かつ低損失の電源ラインを構成できます。
SiC MOSFET
高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC（シリコンカーバイド）を使用したMOSFETです。
SiC MOSFETモジュール
当社のSiC MOSFETモジュールは、高速スイッチング性を有しており、電鉄用インバーター、コンバーター、太陽光インバーター等の産業向け電力変換装置の低損失化、小型化に最適な新材料、SiC(シリコンカーバイド) を使用しています。
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- TCSP6A-172101
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Package Size
W : 2.14 mm 0.084 inch L : 1.67 mm 0.066 inch H : 0.11 mm 0.0043 inch
- SOT-1118 (UDFN6)
-
Package Size
W : 2.0 mm 0.079 inch L : 2.0 mm 0.079 inch H : 0.75 mm 0.030 inch
- SOT-1220 (UDFN6B)
-
Package Size
W : 2.0 mm 0.079 inch L : 2.0 mm 0.079 inch H : 0.75 mm 0.030 inch
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- DSOP Advance(WF)L
-
Package Size
W : 5.0 mm 0.20 inch L : 6.0 mm 0.24 inch H : 0.76 mm 0.030 inch
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- DSOP Advance(WF)M
-
Package Size
W : 5.0 mm 0.20 inch L : 6.0 mm 0.24 inch H : 0.76 mm 0.030 inch
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- TCSPAC-153001
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Package Size
W : 2.98 mm 0.12 inch L : 1.49 mm 0.059 inch H : 0.11 mm 0.0043 inch
- TCSPAG-341501
-
Package Size
W : 3.37 mm 0.13 inch L : 1.47 mm 0.058 inch H : 0.11 mm 0.0043 inch
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品番は3文字以上指定して下さい。
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