MOSFET
東芝MOSFETは、高速、高性能、低損失、低オン抵抗、小型パッケージなどの特長を有し、低耐圧品から中高耐圧品まで幅広い構成とパッケージラインアップをご提供しています。
当社はMOSFETの開発と製造を長年にわたって手掛けてきており、現在では、耐圧500Vから800Vを中心とした中高耐圧品「DTMOS」シリーズと、耐圧12Vから250Vの低耐圧品「U-MOS」シリーズを展開しています。
ラインアップ
12V - 300V MOSFET
トレンチ構造を採用し、優れた微細化技術を用いてセルの高集積化を進めることで、ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)を改善しています。
400V - 900V MOSFET
高出力電源向けに適したスーパージャンクション(SJ)構造のMOSFETシリーズと低出力電源向けに適したD-MOS(二重拡散構造)のMOSFETシリーズがあります。
車載MOSFET
12Vバッテリーシステム・モーターコントロール用をはじめ、多様な車載用途に向け、豊富なラインアップで提供します。
高周波MOSFET
出力電力0.1～12W、電源電圧3.6～12.5Vのラインアップを取り揃えており、高周波パワーアンプ用に適しています。
MOSFETゲートドライバーIC
当社MOSFETゲートドライバーICは昇圧回路や保護回路を内蔵した超小型のNch MOSFETドライバーです。MOSFETと組み合わせてご使用頂くことで小型かつ低損失の電源ラインを構成できます。
SiC MOSFET
高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC（シリコンカーバイド）を使用したMOSFETです。
SiC MOSFETモジュール
当社のSiC MOSFETモジュールは、高速スイッチング性を有しており、電鉄用インバーター、コンバーター、太陽光インバーター等の産業向け電力変換装置の低損失化、小型化に最適な新材料、SiC(シリコンカーバイド) を使用しています。
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- SOT-1118 (UDFN6)
-
Package Size
W : 2.0 mm 0.079 inch L : 2.0 mm 0.079 inch H : 0.75 mm 0.030 inch
- SOT-1220 (UDFN6B)
-
Package Size
W : 2.0 mm 0.079 inch L : 2.0 mm 0.079 inch H : 0.75 mm 0.030 inch
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- DSOP Advance(WF)L
-
Package Size
W : 5.0 mm 0.20 inch L : 6.0 mm 0.24 inch H : 0.76 mm 0.030 inch
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- DSOP Advance(WF)M
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Package Size
W : 5.0 mm 0.20 inch L : 6.0 mm 0.24 inch H : 0.76 mm 0.030 inch
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パッケージサイズの保証値はデータシートに記載されているmm単位であり、inch単位のサイズは参考値です。 1mm=0.0393701inchで換算した有効数字2桁の値です。
品番は3文字以上指定して下さい。
クロスリファレンス検索で表示される情報について
クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
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