東芝推出第三代碳化矽MOSFET來提高工業設備效率

- 產品陣容覆蓋1200V和650V產品 -

2022年8月30日

東芝電子元件及儲存裝置株式會社

Toshiba Launches its 3rd Generation SiC MOSFETs that Contribute to the Higher Efficiency of Industrial Equipment

日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)推出了全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET[1][2],具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品,已經開始出貨。

新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%[3],使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標——漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%[4]。開關損耗也減少了約20%[5],因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。

東芝將繼續擴大其功率元件的產品陣容,加強其生產設施,並透過提供易於使用的高性能功率元件,實現無碳經濟。

注釋:
[1] 東芝透過利用為第二代碳化矽MOSFET開發的內建肖特基勢壘二極體開發了一種元件結構,降低了單位面積的導通電阻(RDS(ON)A),同時也減少了JFET區域的回授電容。
[2] MOSFET:金屬-氧化物半導體場效應電晶體
[3] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)A設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[4] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)*Qgd設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[5] 新型1200V碳化矽MOSFET和第二代碳化矽MOSFET的比較。東芝調查。

應用

  • 開關電源(伺服器、資料中心、通訊設備等)
  • 電動汽車充電站
  • 太陽能逆變器
  • 不斷電供應系統(UPS)

 

特性

  • 低單位面積導通電阻(RDS(ON)A)
  • 低漏源導通電阻*閘-漏電荷 (RDS(ON)*Qgd)
  • 低二極體正向電壓: VDSF = -1.35 V (典型值) @VGS = -5 V

主要規格

(@Ta=25°C,除非另有說明)

組件型號 封裝 絕對最大額定值 電氣特性

樣本查閱

庫存查詢


漏-源電壓VDSS
(V)

閘-源電壓VGSS
(V)

漏極電流(DC)
ID
(A)

漏-源導通電阻RDS(ON)

典型值(mΩ)

柵極閾值電壓Vth
(V)

總閘極電荷Qg

典型值(nC)

閘-漏電荷Qgd

典型值(nC)

輸入電容Ciss

典型值(pF)

二極體正向電壓VDSF

典型值(V)
@Tc=25°C @VGS=18V @VDS=10V @VDS=400V,
f=100kHz
@VGS= -5V
TW015N120C TO-247 1200 -10 至 25 100 15 3.0 至 5.0 158 23 6000 -1.35

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