2022年8月30日
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)推出了全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET[1][2],具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品,已經開始出貨。
新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%[3],使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標——漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%[4]。開關損耗也減少了約20%[5],因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。
東芝將繼續擴大其功率元件的產品陣容,加強其生產設施,並透過提供易於使用的高性能功率元件,實現無碳經濟。
注釋:
[1] 東芝透過利用為第二代碳化矽MOSFET開發的內建肖特基勢壘二極體開發了一種元件結構,降低了單位面積的導通電阻(RDS(ON)A),同時也減少了JFET區域的回授電容。
[2] MOSFET:金屬-氧化物半導體場效應電晶體
[3] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)A設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[4] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)*Qgd設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[5] 新型1200V碳化矽MOSFET和第二代碳化矽MOSFET的比較。東芝調查。
(@Ta=25°C,除非另有說明)
組件型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | 電氣特性 | 樣本查閱 和 庫存查詢 |
|||||||
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漏-源電壓VDSS (V) |
閘-源電壓VGSS (V) |
漏極電流(DC) ID (A) |
漏-源導通電阻RDS(ON) 典型值(mΩ) |
柵極閾值電壓Vth (V) |
總閘極電荷Qg 典型值(nC) |
閘-漏電荷Qgd 典型值(nC) |
輸入電容Ciss 典型值(pF) |
二極體正向電壓VDSF 典型值(V) |
|||
@Tc=25°C | @VGS=18V | @VDS=10V | @VDS=400V, f=100kHz |
@VGS= -5V | |||||||
TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10 至 25 | 100 | 15 | 3.0 至 5.0 | 158 | 23 | 6000 | -1.35 | |
TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | ||||||
TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | ||||||
TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | ||||||
TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | ||||||
TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | |||||
TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | ||||||
TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | ||||||
TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | ||||||
TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 |
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1200產品
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C
650產品
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C
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