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産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC(炭化ケイ素) MOSFETを発売

~1200Vおよび650V耐圧製品をラインアップ~

2022年8月30日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

これは、産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC(炭化ケイ素) MOSFETを発売の画像です。

当社は、パワー半導体の新製品として、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減した第3世代 SiC MOSFET[注1][注2]を製品化しました。「TWxxxNxxxCシリーズ」10品種(1200V/650V耐圧)の出荷を本日から開始します。

新製品は、単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)Aを約43%削減[注3]しました。これにより、導通損失とスイッチング損失の関係を表す重要指標「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd」を約80%削減[注4]し、スイッチング損失を約20%削減[注5]しました。オン抵抗削減とスイッチング損失削減の両立を実現した当社第3世代 SiC MOSFETは、産業用機器のさらなる高効率化に貢献します。

今後も当社はパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充と生産設備の増強を進め、ユーザーがより使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、脱炭素社会の実現を目指します。

[注1] 当社第2世代SiC MOSFETで開発したショットキーバリアダイオードを内蔵した構造を用いて、単位面積あたりのオン抵抗(RDS(ON)A)を削減、さらにJFETの帰還容量を小さくするデバイス構造を開発。
[注2] MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属酸化膜半導体電界効果トランジスター)の略で、トランジスターの構造の一種。
[注3] 当社第2世代SiC MOSFETのRDS(ON)Aを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ
[注4] 当社第2世代SiC MOSFETのRDS(ON)×Qgdを1とした場合の、今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。
[注5] 当社第2世代SiC MOSFETと今回開発した1200VのSiC MOSFETの比較。当社調べ。

応用機器

  • スイッチング電源 (データセンターなどサーバー用、通信機器用など)
  • EV充電スタンド
  • 太陽光発電用インバーター
  • 無停電電源装置 (UPS)

新製品の主な特長

  • 低い単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)A
  • 低いドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd
  • 低い順方向電圧 (ダイオード) : VDSF = -1.35 V (typ.) @VGS = -5 V

新製品の主な仕様

 (特に指定のない限り、@Ta=25°C)

品番 パッケージ 絶対最大定格  電気的特性 在庫検索&Web少量購入
ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ゲート・
ソース間
電圧
VGSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
ドレイン・
ソース間
オン抵抗 
RDS(ON)
typ.
(mΩ)
ゲート
しきい値
電圧
Vth
(V)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
ゲート・
ドレイン間
電荷量
Qgd
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
順方向
電圧
(ダイオード)
VDSF
typ.
(V)
@Tc=25°C @VGS=18V @VDS=10V @VDS=400V、f=100kHz @VGS= -5V
TW015N120C TO-247 1200 -10~25 100 15 3.0~5.0 158 23 6000 -1.35

Buy Online

TW030N120C 60 30 82 13 2925 Buy Online
TW045N120C 40 45 57 8.9 1969 Buy Online
TW060N120C 36 60 46 7.8 1530 Buy Online
TW140N120C 20 140 24 4.2 691 Buy Online
TW015N65C 650 100 15 128 19 4850 Buy Online
TW027N65C 58 27 65 10 2288 Buy Online
TW048N65C 40 48 41 6.2 1362 Buy Online
TW083N65C 30 83 28 3.9 873 Buy Online
TW107N65C 20 107 21 2.3 600 Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

1200V製品
TW015N120C
TW030N120C
TW045N120C
TW060N120C
TW140N120C

650V製品
TW015N65C
TW027N65C
TW048N65C
TW083N65C
TW107N65C

当社のSiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。

SiC パワーデバイス
SiC MOSFET

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1200V製品

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650V製品

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お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

   パワーデバイス営業推進部

   Tel: 044-548-2216

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*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。