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MOSFET-Produktportfolio

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Die neueste U-MOSⅨ-H-Serie

Die U-MOSⅨ-H-Serie umfasst hervorragende Trench-Prozess- und Gehäusetechnologien und weist federführende Leistungsmerkmale in der Branche auf. Die Serie U-MOSⅨ-H wurde mit den neuesten Verfahren und der optimierten Zellstruktur hergestellt und bietet eine umfassend verbesserte Abstimmung zwischen Durchlasswiderstand und Lademerkmalen – wichtige Leistungskennzahlen für MOSFETs. Daher zeigt die Serie U-MOSⅨ-H deutlich reduzierte Verluste in wichtigen Bereichen einschließlich Leitungsverluste, Antriebsverluste, Schaltverluste und Ausgangsladungsverluste, sodass die Effizienz der Anwendungssysteme verbessert und die MOSFET-Gerätetemperatur gesenkt werden kann.

Vergleich der Leistungskennzahlen von typischen MOSFETs mit VDSS= 60 V

Die Serie Gen-9 U-MOSⅨ-H wurde mit einer weiter optimierten Zellstruktur und noch kleineren Prozess-Geometrien hergestellt als die Serie Gen-8 MOSFET und zeigt geringere Schalt- und Antriebsverluste. Daher zeigt die Serie U-MOSⅨ-H sehr viel geringere Schaltverluste und Ausgangsladungsverluste, was bei Stromversorgungs- und Motorantriebsanwendungen relevant ist.

TPH1R306PL:U-MOSⅨ-H、VDSS= 60 V、RDS(ON)max = 1,34 mΩ bei VGS = 10 V、SOP Advance

Leitungs- und
Antriebsverluste

Leitungs- und Antriebsverluste

Leitungs- und
Schaltverluste

Leitungs- und Schaltverluste

Leitungs- und
Ausgangsladungsverluste

Leitungs- und Ausgangsladungsverluste

Ab Januar 2018 (gemäß Umfrage von Toshiba)

RDS(ON): Durchlasswiderstand (Leistungskennzahl für Leitungsverlust)

Qg: Gate-Ladung (Leistungskennzahl für Antriebsverlust)
Qsw: Gate-Switch-Ladung (Leistungskennzahl für Schaltverlust)
Qoss: Ausgangsladung (Leistungskennzahl für Ausgangsladungsverlust)

Vergleich der Leistungskennzahlen von MOSFETs mit einer Leistung von VDSS= 60 V in einem Anwendungssystem (Vollbrücken-DC/DC-Wandler)

Die 60-V MOSFETs der Serie U-MOSⅨ-H werden für verschiedene Anwendungen eingesetzt, wie die sekundäre Seite der AC-DC-Netzteile und Basisstationen, DC-DC-Wandler für Kommunikationsausrüstung, Serverstromversorgung, Motoren und Mikro-Inverter. Die 60-V MOSFETs der Serie U-MOSⅨ-H trägt dazu bei, die MOSFET-Gerätetemperatur zu reduzieren und die Leistungseffizienz eines Vollbrücken-DC/DC-Wandlers zu verbessern.

Schaltkreis
  • Betriebsbedingungen
    Eingangsspannung = 48 V
    Ausgangsspannung = 24 V
    Ausgangsstrom = 5 bis 25 A
    Betriebsfrequenz = 160 kHz
    MOSFET-Gate-Treiber – Spannung = 6 V
  • Gerät ausgewertet:
    TPH1R306PL:RDS(ON)max = 1,34 mΩ bei VGS = 10 V、SOP Advance

Gerät verglichen mit TPH1R306PL

Effizienz

Effizienz

Gerätetemperatur

Gerätetemperatur

Vergleich der Leistungskennzahlen von typischen MOSFETs mit VDSS = 100 V

Die Serie U-MOSⅨ-H wurde mit den neuesten Verfahren und der optimierten Zellstruktur hergestellt und bietet eine umfassend verbesserte Abstimmung zwischen Durchlasswiderstand und Lademerkmalen – wichtige Leistungskennzahlen für MOSFETs. Daher zeigt die Serie U-MOSⅨ-H deutlich reduzierte Verluste in wichtigen Bereichen einschließlich Leitungsverluste, Antriebsverluste, Schaltverluste und Ausgangsladungsverluste, sodass die Effizienz der Anwendungssysteme verbessert und die MOSFET-Gerätetemperatur gesenkt werden kann.

TPH3R70APL:U-MOSⅨ-H、VDSS = 100 V、RDS(ON)max = 3,7 mΩ bei VGS = 10 V、SOP Advance

Leitungs- und
Antriebsverluste

Leitungs- und Antriebsverluste

Leitungs- und
Schaltverluste

Leitungs- und Schaltverluste

Leitungs- und
Ausgangsladungsverluste

Leitungs- und Ausgangsladungsverluste

Ab Januar 2018 (gemäß Umfrage von Toshiba)

RDS(ON):Durchlasswiderstand (Leistungskennzahl für Leitungsverlust) 
Qg:Gate-Ladung (Leistungskennzahl für Antriebsverlust)
Qsw:Gate-Switch-Ladung (Leistungskennzahl für Schaltverlust)
Qoss:Ausgangsladung (Leistungskennzahl für Ausgangsladungsverlust)

Vergleich der Leistungskennzahlen von MOSFETs mit einer Leistung von VDSS= 100 V in einem Anwendungssystem (Vollbrücken-DC/DC-Wandler)

Aufgrund ihrer hervorragenden Geschwindigkeit werden die 100-V MOSFETs der Serie U-MOSⅨ-H für verschiedene Anwendungen eingesetzt, wie DC-DC-Wandler, Serverstromversorgung, Adapter, Motoren, Mikro-Inverter und Ladegeräte. Ein Beispiel eines Vollbrücken DC/DC-Wandlers wird weiter unten gezeigt. Nachstehend werden das 100-V U-MOSⅨ-H MOSFET von Toshiba und ein MOSFET einer anderen Firma im Hinblick auf Effizienz und die MOSFET-Gerätetemperatur der primären Seite verglichen. Wie weiter unten gezeigt, trägt das Toshiba-Gerät der Serie U-MOSIX-H trägt dazu bei, die MOSFET-Gerätetemperatur zu reduzieren und die Leistungseffizienz des DC/DC-Wandlers zu verbessern.

Schaltkreis
  • Betriebsbedingungen
    Eingangsspannung = 48 V, Ausgangsspannung = 24 V
    Ausgangsstrom = 25 bis 185 W
    Betriebsfrequenz = 150 kHz
    MOSFET-Gate-Treiber – Spannung = 6 V
  • Gerät ausgewertet
    TPH3R70APL : RDS(ON)max = 3,7 mΩ bei VGS = 10 V、SOP Advance

Gerät verglichen mit TPH1R306PL

Effizienz

Effizienz

Gerätetemperatur

Gerätetemperatur

Schaltungsrauschminderung durch Snubber-Schaltungen (Low-Spike-Technologie)

Wir haben kontinuierlich verschiedene Leistungsbereiche verbessert, um die Effizienz der verwendeten Geräte zu optimieren und die Wärmeerzeugung in MOSFETs zu reduzieren. Beim Gen-8 MOSFET (U-MOSⅧ-H-Serie) wurde zusätzlich zu diesen Verbesserungen das Rauschen während der Schaltung reduziert, indem eine neue Zellstruktur eingesetzt wurde. Darüber hinaus zeigt – wie in der Abbildung weiter unten dargestellt – die Serie Gen-9 U-MOSⅨ-H ein Portfolio mit Low-Spike-Typ mit optimierten Snubber-Konstanten und hohem Effizienztyp.

TPH1R306P1(60 V)

TPH1R306PL

Schaltwellenform

Schaltwellenform

trr-Wellenform

trr-Wellenform

TPH1R306P1 (Low-Spike)

TPH1R306P1

TPH1R306P1

VDSS= 60 V

Teilenummer Ros(on)(mΩ) Ciss
(Typ.)
(pF)
Crss
(Typ.)
(pF)
Coss
(Typ.)
(pF)
Qg
(Typ.)
(nC)
rg
(Typ.)
(Ω)
Qrr
(Typ.)
(nC)
Vspike
SW
(V)
Vspike
trr
(V)
VGS= 10 V VGS= 4,5 V
Typ. Max. Typ. Max.
TPH1R306PL 1,0 1,34 1,5 2,3 6250 80 1160 91 0,5
48 36,8
59,2
TPH1R306P1 0,96 1,28 1,5 2,3 6250 80 1160 91 2,2 39 31,9 38,2

VDSS= 40 V

Teilenummer Ros(on)(mΩ) Ciss
(Typ.)
(pF)
Crss
(Typ.)
(pF)
Coss
(Typ.)
(pF)
Qg
(Typ.)
(nC)
rg
(Typ.)
(Ω)
Qrr
(Typ.)
(nC)
Vspike
SW
(V)
Vspike
trr
(V)
VGS= 10 V VGS= 6 V VGS= 4,5 V
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.
TPH1R204PL 1,0 1,24 - - 1,5 2,1 5500 93 1300 74 0,6
46 28,0
39,4
TPH1R204PB 0,85 1,20 1,2 1,96
- - 4400 55
1300 62
3
44
26,5
28,0

Portfolio der Serien U-MOSⅨ-H/U-MOSⅧ-H

※Durch Klicken auf den Kreis wird die dazugehörige Produktliste angezeigt.

U-MOSⅨ-H/U-MOSⅧ-Hシリーズ 製品カバレージ

Ⅷ: U-MOSⅧ-H
Ⅸ: U-MOSⅨ-H

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