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電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD : TRS12A65F、TRS12E65F

製品情報 2020-05

これは、電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD : TRS12A65F、TRS12E65Fの製品写真です。

当社は、電源PFCの省電力化と高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650 V/12 Aのショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRS12A65F」と「TRS12E65F」を製品化しました。2種のパッケージで、絶縁タイプTO-220F-2LのTRS12A65Fと非絶縁タイプTO-220-2LのTRS12E65Fです。また、機器の大電力化に対応するため、直流順電流12 Aをラインアップに追加しました。

新製品は、当社第2世代の改良型JBS (Junction Barrier controlled Schottky) 構造を使用しており、最大97 A[注1]の高い非繰り返しピーク順電流と標準1.45 Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Qcj[注2]) を第1世代と比べて約67 %[注3]に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。また、SiC SBDは、Si FRD[注4]と比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流で動作させることができます。さらに、低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕を持たせることができます。

当社は、今後もラインアップを拡充し、通信機器、サーバー、インバーターなどの高効率化、小型化に貢献していきます。

[注1] TRS12E65Fの場合
[注2] Qcj : 接合容量の逆電圧0.1 V~400 Vの総電荷量。当社Cj-VRカーブ (2019年11月時点) から計算で求めたものです。
[注3] TRS12E65Cとの比較
[注4] FRD (Fast Recovery Diode)

特⻑

  • 非繰り返しピーク順電流が大きい :
    IFSM=92 A (TRS12A65F)
    IFSM=97 A (TRS12E65F)
  • 逆電流が小さい : IR=0.6 μA (typ.)
  • 2種のパッケージ :
    絶縁タイプ TO-220F-2Lパッケージ (TRS12A65F)
    非絶縁タイプ TO-220-2Lパッケージ (TRS12E65F)

用途

  • 産業機器の電源 (通信基地局、サーバー、電気自動車給電設備、レーザー加工機など)
  • 民生機器の電源 (有機EL-TV、オーディオアンプ、プロジェクター、複写機など)

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)

品番 TRS12A65F TRS12E65F
パッケージ TO-220F-2L
(絶縁タイプ)
TO-220-2L
(非絶縁タイプ)
絶対
最大定格
繰り返しピーク逆電圧  VRRM  (V) 650
直流順電流  IF(DC)  (A) 12
非繰り返しピーク順電流  IFSM  (A) @t=10 ms 92 97
接合温度  Tj  (°C) 175
電気的
特性
逆電流  IR typ.  (μA) @VR=650 V 0.6
順電圧  VF typ.  (V) @IF=12 A 1.45
総電荷量  Qcj typ.  (nC) @VR=0.1~400 V 30[注2]
熱抵抗
特性
熱抵抗 (接合·ケース間)  Rth(j-C) max  (°C/W) 3.65 1.3

内部回路構成図

これは、電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD : TRS12A65F、TRS12E65Fの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD : TRS12A65F、TRS12E65Fの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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