電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD : TRS12A65F、TRS12E65F
製品情報 2020-05
当社は、電源PFCの省電力化と高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650 V/12 Aのショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRS12A65F」と「TRS12E65F」を製品化しました。2種のパッケージで、絶縁タイプTO-220F-2LのTRS12A65Fと非絶縁タイプTO-220-2LのTRS12E65Fです。また、機器の大電力化に対応するため、直流順電流12 Aをラインアップに追加しました。
新製品は、当社第2世代の改良型JBS (Junction Barrier controlled Schottky) 構造を使用しており、最大97 A[注1]の高い非繰り返しピーク順電流と標準1.45 Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Qcj[注2]) を第1世代と比べて約67 %[注3]に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。また、SiC SBDは、Si FRD[注4]と比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流で動作させることができます。さらに、低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕を持たせることができます。
当社は、今後もラインアップを拡充し、通信機器、サーバー、インバーターなどの高効率化、小型化に貢献していきます。
[注1] TRS12E65Fの場合
[注2] Qcj : 接合容量の逆電圧0.1 V~400 Vの総電荷量。当社Cj-VRカーブ (2019年11月時点) から計算で求めたものです。
[注3] TRS12E65Cとの比較
[注4] FRD (Fast Recovery Diode)
特⻑
- 非繰り返しピーク順電流が大きい :
IFSM=92 A (TRS12A65F)
IFSM=97 A (TRS12E65F)
- 逆電流が小さい : IR=0.6 μA (typ.)
- ２種のパッケージ :
絶縁タイプ TO-220F-2Lパッケージ (TRS12A65F)
非絶縁タイプ TO-220-2Lパッケージ (TRS12E65F)
用途
- 産業機器の電源 (通信基地局、サーバー、電気自動車給電設備、レーザー加工機など)
- 民生機器の電源 (有機EL-TV、オーディオアンプ、プロジェクター、複写機など)
製品仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)
| 品番 | TRS12A65F | TRS12E65F | ||
|---|---|---|---|---|
| パッケージ | TO-220F-2L (絶縁タイプ) |
TO-220-2L (非絶縁タイプ) |
||
| 絶対 最大定格 |
繰り返しピーク逆電圧 VRRM (V) | 650 | ||
| 直流順電流 IF(DC) (A) | 12 | |||
| 非繰り返しピーク順電流 IFSM (A) | @t=10 ms | 92 | 97 | |
| 接合温度 Tj (°C) | 175 | |||
| 電気的 特性 |
逆電流 IR typ. (μA) | @VR=650 V | 0.6 | |
| 順電圧 VF typ. (V) | @IF=12 A | 1.45 | ||
| 総電荷量 Qcj typ. (nC) | @VR=0.1～400 V | 30[注2] | ||
| 熱抵抗 特性 |
熱抵抗 (接合·ケース間) Rth(j-C) max (°C/W) | 3.65 | 1.3 | |
内部回路構成図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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