製品情報 2017-11
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「TCK401G (アクティブハイ[注1]) 」 および、「TCK402G (アクティブロー[注2]) 」 は、最大28 Vまでの入力動作電圧に対応することで、急速充電などの大電流供給が必要な用途に適したNチャネルMOSFETドライバICです。
新製品は過電圧保護機能、突⼊電流抑制機能、オートディスチャージ機能など各種機能を内蔵しながらも、業界最小クラス[注3]のWCSP6Eパッケージ [0.8×1.2 mm、t=0.55 mm (typ.) ] を採用しています。
用途に合わせた耐圧およびオン抵抗で選択された外付けNチャネルMOSFETと本製品との組み合わせにより、⾼効率な電源回路が実現できます。例えば、当社の低オン抵抗MOSFET SSM6K513NUとの組み合わせにより、100 Wクラスにも対応した電源回路を省スペースで実現できるため、モバイル機器やコンシューマ機器向けに適しています。
[注1] モード制御端子がハイ論理で外付けMOSFETがオン、ロー論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注2] モード制御端子がロー論理で外付けMOSFETがオン、ハイ論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注3] NチャネルMOSFETドライバIC製品において。2017年9月現在。当社調べ。
(@Ta=25°C)
品番 | パッケージ | 絶対 最大 定格 |
入力動作 電圧 VIN_opr (V) |
消費電流 (ON状態) IQ(ON) typ. @VIN=5 V (μA) |
ゲートドライブ電圧 VGS typ. (V) |
VGATEオン時間 tON typ.[注4] @VIN=5 V、 VGATE=6 V、 CGATE= 2000 pF (ms) |
VGATEオフ時間 tOFF typ.[注4] @VIN=5 V、 VGATE=0.5 V、 CGATE= 2000 pF (μs) |
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名称 | サイズ typ. (mm) |
入力 電圧 VIN (V) |
@VIN =3 V |
@VIN =5 V |
@VIN =9 V |
@12 V ≤VIN ≤28 V |
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WCSP6E | 0.8x1.2、 t=0.55 |
40 | 2.7~28 | 121 | 4.0 | 6.5 | 6.5 | 8.5 | 0.58 | 16.6 |
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[注4] VCTがVIHの半分の値になってから、記載のVGATEになるまでの時間。
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。