業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET: TPH3R70APL、TPN1200APL

製品情報 2017-12

これは、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET: TPH3R70APL、TPN1200APLの製品写真です。

「TPH3R70APL」「TPN1200APL」は、低耐圧NチャネルパワーMOSFET (U-MOSIX-Hシリーズ) の新製品として、産業機器用電源に適した100 V耐圧製品です。
新製品は、低耐圧トレンチ構造の当社最新世代U-MOSⅨ-Hプロセスを採用し、素子構造の最適化により業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現しています。さらに、既存プロセス (U-MOSVIII-H) と比べて、スイッチング用途における要求性能指数であるオン抵抗×出力電荷量と、オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を低減[注2]し、低スイッチング損失を実現します。
当社は市場動向に合わせて今後もラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。

[注1] 2017年11月現在、同定格の製品において。当社調べ。
[注2] TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOSVIII-H) と比べてオン抵抗×出力電荷量を10 %低減、オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を10 %低減。

3つの特⻑

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗
       RDS(ON)=3.7 mΩ (max) @VGS=10 V (TPH3R70APL)
       RDS(ON)=11.5 mΩ (max) @VGS=10 V (TPN1200APL)
  • 低出力電荷量、低ゲートスイッチ電荷量
  • ロジックレベル駆動 (4.5 V) に対応

用途

  • 産業機器用電源
  • モーター制御機器

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25°C)

品番 絶対最大定格 ドレイン·ソース間オン抵抗
RDS(ON) max
(mΩ)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
ゲート
スイッチ
電荷量
QSW
typ.
(nC)
出力
電荷量
Qoss
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
パッケージ
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
@TC=25°C
(A)
@VGS
=10 V
@VGS
=4.5 V
100 90 3.7 6.2 67 21 74 4850 SOP Advance
40 11.5 20 24 7.5 24 1425 TSON Advance

内部回路構成図

これは、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET: TPH3R70APL、TPN1200APLの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET: TPH3R70APL、TPN1200APLの応用回路例です。
これは、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET: TPH3R70APL、TPN1200APLの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。