製品情報 2017-12
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「TPH3R70APL」「TPN1200APL」は、低耐圧NチャネルパワーMOSFET (U-MOSIX-Hシリーズ) の新製品として、産業機器用電源に適した100 V耐圧製品です。
新製品は、低耐圧トレンチ構造の当社最新世代U-MOSⅨ-Hプロセスを採用し、素子構造の最適化により業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現しています。さらに、既存プロセス (U-MOSVIII-H) と比べて、スイッチング用途における要求性能指数であるオン抵抗×出力電荷量と、オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を低減[注2]し、低スイッチング損失を実現します。
当社は市場動向に合わせて今後もラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。
[注1] 2017年11月現在、同定格の製品において。当社調べ。
[注2] TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOSVIII-H) と比べてオン抵抗×出力電荷量を10 %低減、オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を10 %低減。
(特に指定のない限り、@Ta=25°C)
品番 | 絶対最大定格 | ドレイン·ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
ゲート スイッチ 電荷量 QSW typ. (nC) |
出力 電荷量 Qoss typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
パッケージ | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID @TC=25°C (A) |
@VGS =10 V |
@VGS =4.5 V |
||||||
100 | 90 | 3.7 | 6.2 | 67 | 21 | 74 | 4850 | SOP Advance | |
40 | 11.5 | 20 | 24 | 7.5 | 24 | 1425 | TSON Advance |
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。