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電源のEMI低減に貢献する60 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの低スパイクタイプ: TPH1R306P1

製品情報 2018-04

これは、電源のEMI低減に貢献する60 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの低スパイクタイプ: TPH1R306P1の製品写真です。

「TPH1R306P1」は電源用途に適した60 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの新製品です。
新製品は、SOP Advanceの面実装パッケージを使用し、ラインアップを拡充しました。低耐圧トレンチ構造の最新世代プロセスU-MOSIX-Hを採用した低スパイクタイプです。スイッチング時にドレイン·ソース間に発生するスパイク電圧を低く抑えることが可能なため、低EMIが求められるスイッチング電源の2次側同期整流に適しています。
U-MOSIX-Hシリーズは、低スパイクタイプと高効率タイプをラインアップしており、目的に応じた製品の選択が可能です。

3つの特⻑

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗
       RDS(ON)=1.28 mΩ (max) @VGS=10 V
  • 低スパイクタイプ
  • ロジックレベル駆動 (4.5 V) に対応

[注1] 同定格の製品において、当社調べ (2018年3月時点) によるものです。

用途

  • 各種電源
      (高効率AC-DCコンバータ、高効率DC-DCコンバータ、スイッチング電源など)
  • モータ制御機器
      (モータドライブなど)

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)

品番 絶対最大定格 ドレイン·ソース間オン抵抗
RDS(ON)  max
(mΩ)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
出力
電荷量
Qoss
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
ゲート
抵抗
rg
typ.
(Ω)
パッケージ
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
@TC=25 °C
(A)
@VGS
=10 V
@VGS
=4.5 V
TPH1R306P1 60 100 1.28 2.3 91 77.5 6250 2.2 SOP Advance

内部回路構成図

これは、電源のEMI低減に貢献する60 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの低スパイクタイプ: TPH1R306P1の内部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源のEMI低減に貢献する60 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの低スパイクタイプ: TPH1R306P1の応用回路例です。

これは、電源のEMI低減に貢献する60 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの低スパイクタイプ: TPH1R306P1の応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。