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低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充: SSM6J808R、SSM6K819R

製品情報 2020-01

これは、低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充: SSM6J808R、SSM6K819Rの製品写真です。

当社は、車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチに適した-40 V耐圧PチャネルMOSFET「SSM6J808R」と100 V耐圧NチャネルMOSFET「SSM6K819R」の2品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。
新製品は、最新プロセス[注1]の採用により、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現し、機器の低消費電力化に貢献します。また、小型TSOP6Fパッケージを使用することにより、同等許容損失のSOP-8パッケージと比べて実装面積を約70 %削減しました。これにより実装面積の小型化に貢献します。さらにAEC-Q101に適合しており、電源ラインの保護や車載ヘッドランプの点灯制御用スイッチなど、車載を含むさまざまな用途で使用可能です。

[注1] 2019年10月時点
[注2] TSOP6Fクラスパッケージ、同耐圧の製品において、当社調べ (2019年10月時点) によるものです

特長

  • 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗により消費電力を削減
      RDS(ON)=48 mΩ (max) @VGS=-4.5 V (SSM6J808R)
      RDS(ON)=36.4 mΩ (max) @VGS=4.5 V (SSM6K819R)
  • TSOP6Fパッケージにより実装面積を削減 (SOP-8と比べて実装面積約70 %削減)
  • AEC-Q101適合

用途

  • 車載機器 (ヘッドランプ、ターンランプ、デイタイムランニングライトなど)

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 極性 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
@|VGS|
=4.5 V
(mΩ)
入力
容量
Ciss
typ.
(pF)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
世代
名称 サイズ
typ.
(mm)
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ゲート·
ソース間
電圧
VGSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
許容
損失
PD
(W)
SSM6J808R Pチャネル TSOP6F 2.9x2.8 -40 -20/+10 -7 1.5 48 1020 24.2 U-MOSVI
SSM6K819R Nチャネル 100 ±20 10 1.5 36.4 1110 8.5 U-MOSVIII-H

端子配置図

これは、低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充: SSM6J808R、SSM6K819Rの端子配置図です。

応用回路例

これは、低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充: SSM6J808R、SSM6K819Rの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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