低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFETのラインアップ拡充: SSM6J808R、SSM6K819R
製品情報 2020-01
当社は、車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチに適した-40 V耐圧PチャネルMOSFET「SSM6J808R」と100 V耐圧ＮチャネルMOSFET「SSM6K819R」の2品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。
新製品は、最新プロセス[注1]の採用により、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現し、機器の低消費電力化に貢献します。また、小型TSOP6Fパッケージを使用することにより、同等許容損失のSOP-8パッケージと比べて実装面積を約70 %削減しました。これにより実装面積の小型化に貢献します。さらにAEC-Q101に適合しており、電源ラインの保護や車載ヘッドランプの点灯制御用スイッチなど、車載を含むさまざまな用途で使用可能です。
[注1] 2019年10月時点
[注2] TSOP6Fクラスパッケージ、同耐圧の製品において、当社調べ (2019年10月時点) によるものです
特長
- 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗により消費電力を削減
RDS(ON)=48 mΩ (max) @VGS=-4.5 V (SSM6J808R)
RDS(ON)=36.4 mΩ (max) @VGS=4.5 V (SSM6K819R) - TSOP6Fパッケージにより実装面積を削減 (SOP-8と比べて実装面積約70 %削減)
- AEC-Q101適合
用途
- 車載機器 (ヘッドランプ、ターンランプ、デイタイムランニングライトなど)
製品仕様
(@Ta=25 °C)
| 品番 | 極性 | パッケージ | 絶対最大定格 | ドレイン· ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max @|VGS| =4.5 V (mΩ) |
入力 容量 Ciss typ. (pF) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
世代 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | サイズ typ. (mm) |
ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ゲート· ソース間 電圧 VGSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
許容 損失 PD (W) |
||||||
| SSM6J808R | Pチャネル | TSOP6F | 2.9x2.8 | -40 | -20/+10 | -7 | 1.5 | 48 | 1020 | 24.2 | U-MOSVI |
| SSM6K819R | Nチャネル | 100 | ±20 | 10 | 1.5 | 36.4 | 1110 | 8.5 | U-MOSVIII-H | ||
端子配置図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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